【PMOS/NMOS区别】从原理上区分记忆(含制程工艺知识)

基本原理：

PMOS要形成P沟道(PNP)，所需载流子为空穴，开关速度慢——【助记】P上面"O"类似空穴；

NMOS要形成N沟道(NPN)，所需载流子为电子e，开关速度快——【助记】N转90度类似"e"；

理解记忆 / 绘图4步法：

1. 与SUB衬底(工艺中为N-Well / P-Well)联接的一端均为S源极，另一端为D漏极。符号中三横线表示三沟道，相联的两条对应一端必为S源极；

2. 符号中箭头方向代表电子e的移动方向；Ep.N沟道MOS管多数载流子为电子e，工作时电子e流向沟道内侧，箭头向内，PMOS相反；

3. 寄生二极管方向与箭头(电子e)方向同向（类似并联电路电流方向一致）；

4. D漏极、S源极接高电势一端必定为寄生二极管指向的一端；

     

判断MOS管特性：

1. NMOS N沟道载流子为电子e，形成导通沟道需要 + 电荷的吸引，因此高电平导通、低电平关闭；

2. PMOS P沟道载流子为空穴，形成导通沟道需要 - 电荷吸引，因此低电平导通、高电平关闭；

注：该方法仅供协助记忆，实际原理并非吸引，而是电场作用下电子在各原子间的移动；

工艺制程上MOS管形态：

如图左侧为NMOS，右侧为PMOS。

1. PW（P-Well(P阱)）、NW（N-Well(N阱)），为NMOS、PMOS的衬底；

2. 为满足半导体工艺制程要求，衬底联接端与源、漏极设计在同一侧（为降接触电阻，接触位置离子注入浓度高、各接触点位置Dep金属硅化物）；

3. 数字逻辑电路使用CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)作为基本逻辑单元，发展过程见半导体晶体管(BJT/PMOS/NMOS/CMOS)工艺制程技术发展简史。图示即为数字集成电路的一个基本单元CMOS的示意图；

4. 通过相互联接，可以组成最基础的逻辑门电路，与门、非门、或门、与非门、或非门、异或门等，从而实现芯片逻辑运算。

5. 如图为非门逻辑电路，PMOS & NMOS S源级分别连接电源和地，即两MOS管SUB衬底分别连接电源和地；

6. 寄生二极管指向端联接高电势端，反之MOS管失去开关作用；