半导体晶体管(BJT/PMOS/NMOS/CMOS)工艺制程技术发展简史

半导体制程发展的动力是摩尔定律，一切都是为了做出更小尺寸且性能稳定的晶体管。

目前芯片生产中逻辑电路中使用的晶体管主要是CMOS，那BJT、PMOS、NMOS、COMS之间到底什么关系？为什么最终COMS应用在逻辑电路中？本文通过介绍晶体管制造工艺发展史解开上述疑问。

Fig1.晶体管工艺发展示意图

1、双极型晶体管(俗称三极管)

1951年贝尔实验室制造出第一只锗双极型晶体管，1956年德州仪器制造出第一只硅双极晶体管，作为当时性能优良的可控开关，开启了微电子时代。

优点：高响应速度、高跨导(输入电压变化对应输出电流变化大)、低噪声、高模拟精度、强电流驱动能力；

缺点：集成度低(纵向深度无法随横向尺寸缩小)、功耗高；

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2、PMOS(PNP场效应晶体管)

随着半导体技术的发展，金属氧化物场效应晶体管诞生，电场驱动控制开关，功耗大幅降低。

优点：功耗低(场效应驱动)、相比于双极型集成度有所提升；

缺点：速度慢(空穴载流子)、使用金属栅(铝铜合金)因熔点低无法参与退火工艺&#x