在相对先进的半导体制程工艺中,在栅极两侧会有多层侧墙结构,对其产生过程及机理进行梳理总结如下:
基础知识:侧墙工艺利用干法蚀刻的各向异性特性,不需要Mask,Dep后进行干法蚀刻,台阶位置产生侧墙。
侧墙工艺示意图
热载流子效应:漏极电压升高,耗尽区宽度增加,但耗尽区宽度不足以抵消电势差,载流子在强电场作用下形成高能载流子,成为热载流子,进入栅极/衬底形成电流/引发闩锁效应。
————————————————————————
>800nm工艺:无热载流子效应影响,无侧墙工艺。
↓ ↓ ↓ ↓ ↓
推动力:器件尺寸继续减小热载流子效应严重,使器件失效。
↓ ↓ ↓ ↓ ↓
DDD工艺(双扩散漏):源漏极掺杂不同质量的掺杂离子,进行退火工艺,因扩散速度的不同,在源漏极扩展区形成低浓度扩散区,即而形成轻掺杂缓变结,降低峰值电场强度。
缺点(动力):①短沟道效应严重(阈值电压明显降低);②