雪崩击穿与齐纳击穿

       反向击穿：当二极管两端的反向电压超过一定数值U(BR)后，二极管两端的反向电流也会急剧增加，这种情况下我们称为反向击穿。

         按击穿的机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。

        齐纳击穿：在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子破坏共价键的束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。可见齐纳击穿电压较低。

        雪崩击穿：在低掺杂的情况下，耗尽层宽度较宽，那么低反向电压下不会产生齐纳击穿。当反向电压增加到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又撞出其它电子，载流子雪崩式地倍增加，这种击穿称为雪崩击穿。

        无论哪种击穿如果对电流不加限制。都可能造成PN结的永久性损坏。