齐纳击穿与雪崩击穿

当反向电压超过一定数值后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。
击穿按照机理分为齐纳击穿和雪崩击穿。
齐纳击穿
在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，从而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，电流急剧增加，这种击穿成为齐纳击穿。齐纳击穿的击穿电压比较低。
雪崩击穿
在低掺杂的情况下，耗尽层宽度较为宽，那么低电压下不会产生齐纳击穿。当反向电压到达一定数值后，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子碰撞，将价电子装出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又装出其他电子，载流子雪崩式地倍增，电流急剧增加，这种击穿就是雪崩击穿。

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PN结二极管
开启电压
PN结二极管的开启电压是指当正向电流增大（一般规定为1mA）时，PN结二极管开始导通的正向电压值。开启电压是描述PN结二极管开始导通的电压，一般用于描述PN结二极管的工作状态。

导通电压
导通电压则指当PN结二极管被正向电压击穿时，电流激增的电压值。导通电压是描述PN结二极管被正向电压击穿后出现激增电流的电压，一般用于描述PN结二极管的击穿特性。

**二极管的特性对温度十分敏感。温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移， 温度每升高一度，正向压降减小2~2.5mV.