雪崩击穿/齐纳击穿

最新推荐文章于 2024-01-20 16:52:53 发布
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分类专栏： 硬件 文章标签： python
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本文链接：https://blog.csdn.net/taowenfengtaowenfeng/article/details/120738129
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这篇博客探讨了半导体材料中两种重要的击穿现象——雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿在掺杂浓度较低的情况下发生，自由电子通过碰撞价离子导致电流急剧增加，温度升高会提高所需的击穿电压。相反，齐纳击穿在高掺杂浓度的环境中出现，自由电子直接跃出共价键，温度上升反而降低齐纳击穿的电压需求。了解这些现象对于优化半导体器件的设计至关重要。
摘要由CSDN通过智能技术生成
  • 雪崩击穿
    • 发生在掺杂浓度较低，自由电子冲撞价离子
    • 温度越高，雪崩击穿需要的击穿电压越高
  • 齐纳击穿
    • 发生在掺杂浓度比较高的时候，自由电子直接跳出共价键
    • 温度越高，齐纳击穿需要的击穿电压越低
TOMSER123
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专栏目录
E=U/d！简单明了地解释齐纳与雪崩击穿！
沧月九流的博客
05-22 7091
1、PN结的反向击穿？ 2、反向击穿类型？ 3、什么是齐纳击穿（也叫隧道击穿）？ 4、什么是雪崩击穿？ 5、两者的区别？ 6、两者的共同点？ 1、PN结的反向击穿：当反向电压超过一定数值U(BR)，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。 2、反向击穿类型：按照击穿机制不同可分为两种类型，齐纳击穿与雪崩击穿。 3、齐纳击穿：PN结高掺杂，导致耗尽层宽度窄，根据电场强度计算公式E=U/d,耗尽层宽度窄d小...
雪崩击穿与齐纳击穿
最新发布
weixin_65575911的博客
07-17 258
在低掺杂的情况下，耗尽层宽度较宽，那么低反向电压下不会产生齐纳击穿。当反向电压增加到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子破坏共价键的束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。可见齐纳击穿电压较低。当二极管两端的反向电压超过一定数值U(BR)后，二极管两端的反向电流也会急剧增加，这种情况下我们称为。
齐纳击穿与雪崩击穿
Wangwenshuaicsdn的博客
04-26 2052
当反向电压到达一定数值后，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子碰撞，将价电子装出共价键，产生电子-空穴对。在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，从而破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，电流急剧增加，这种击穿成为齐纳击穿。PN结二极管的开启电压是指当正向电流增大（一般规定为1mA）时，PN结二极管开始导通的正向电压值。导通电压是描述PN结二极管被正向电压击穿后出现激增电流的电压，一般用于描述PN结二极管的击穿特性。
雪崩击穿与齐纳击穿的区别
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Kk_01110001B的博客
06-18 1万+
 首先我们需要了解什么是雪崩击穿?什么是齐纳击穿? 1） 雪崩击穿随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子—空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子—空穴对。这种连锁反应继续下去，使空...
你真的理解雪崩击穿与齐纳击穿的区别吗？
weixin_30247307的博客
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二极管(齐纳击穿和雪崩击穿)
qq_51288870的博客
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二极管
元器件应用中的pn结二极管-pn结击穿电压
11-15
二极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。雪崩击穿发生在强电场下，电子和空穴在电场作用下加速，与晶格碰撞产生新的电子-空穴对，形成雪崩倍增效应；齐纳击穿则发生在高掺杂的pn结中，电场足够强大以至于...
参考资料-MOS管器件击穿机理分析.zip
01-16
击穿现象分为两种主要类型：雪崩击穿和齐纳击穿。 1. 雪崩击穿： 雪崩击穿发生在耗尽层内部，当加在MOS结构上的电压超过一定程度，使得载流子（电子和空穴）在电场作用下获得足够的动能，发生碰撞电离，产生新的...
齐纳二极管的工作原理
07-12
齐纳二极管的工作原理 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。这个突然的意义重大的...
120伏以下齐纳二极管测试仪
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零基础教你学习齐纳二极管稳压器及其仿真
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《涨知识啦7》---雪崩击穿的判断条件：两‘系数’，一‘积分’
simucal的博客
04-01 1871
《涨知识啦7》—雪崩击穿的判断条件：两‘系数’，一‘积分’ 大家好，上周小赛收到童鞋的留言，不知道怎么判断器件是否达到雪崩击穿？那么本周小赛就给大家细致地讲解一下如何去判断雪崩击穿的条件。各种电子器件的基础是pn结或肖特基结，反向偏置引起耗尽区宽度进一步增加，结区电场进一步增强，耗尽区中的载流子在这些电场的作用下进行漂移运动，即载流子通过电场加速获得了动能，在漂移运动过程中将不可避免的与耗尽区中的...
关于雪崩击穿温度系数
weixin_45161749的博客
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我是从这学来的，嫌麻烦可以看视频 https://www.bilibili.com/video/BV19F411B7V8?from=search&seid=10195893809605231446&spm_id_from=333.337.0.0 雪崩击穿为什么温度越高，击穿电压越高？ 温度高时，晶格内的电子热运动加大，占据空间变大，（这里看起来更容易撞到了）；少子在加速过程中，变得容易与电子相撞，但这时没有足够的能量使电子本征激发； 于是温度高，击穿电压反而高了 齐纳击穿雪崩击穿两种击穿形式
pn结的三种常见击穿现象
qq_57308351的博客
04-12 7448
PN结的击穿特性是再 PN 结器件中非常重要，它通常用来描述 PN 结在反向电压作用下的破坏性故障。了解和掌握 PN 结的击穿特性，对于设计、制造和使用 PN 结器件具有很大的意义。因此该部分内容也常常作为期末考、考研笔试、保研面试、考研复试的高频简答题。
《模拟电子技术》期末复习笔记4——上交大郑益慧课件知识点整理
Raider1的博客
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笔记整理自B站学习教程《模拟电子技术基础 上交大 郑益慧主讲》第一章 常用半导体器件半导体基础知识本征半导体一.半导体1.概念：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。 2.本征半导体：纯净的半导体，具有晶体结构的半导体。二、本征半导体的晶体结构三、载流子1.本征激发2.自由电子可以导电3.空穴如果加一个电场，在电场力的吸引下，共价键中的价电子会填补空穴，价电子依次填补空穴造成了空穴的相对移动。空穴也能动，也是一种载流子，也能导电。因此，本征半导体中有两种载流子：空穴和自由电子。本征激杂质半导体 一、概念在本
【郑益慧】模拟电子技术：4.二极管的微变等效和稳压管
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下图红点标记位置：可以计算出这里得直流电阻这里的斜率就近似于于交流电流根据id的变化量比上ud的变化量，就是求这段曲线的斜率。也就是求导动态电阻rd（二极管的阻值）的阻值和两个量有关：温度和静态电流，它是由Q U T共同影响的一个量总结一下：就是对图中的伏安特性曲线进行求导，进行斜率的计算，得出结果：斜率和UT和ID有关，斜率对应的就是动态电阻的阻值。那么如何分析一个二极管上面交流的响应呢？必须分两步走.①首先要看二极管工作在怎么样的直流环境下（也就是直流的大小）；直流决定后面交流的响应；②分析交流电路要分
模电 - 半导体基本知识
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PN结的温度特性
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根据模电书中所写：1、在室温下，温度上升一度，PN结的正向导通电压Uon下降2-2.5mV。2、温度升高10度，反向饱和电流Is升高一倍。3、雪崩击穿电压随温度升高而升高，齐纳击穿电压随温度升高而降低。我的理解如下：1、PN结的正向导通由多子扩散形成，温度升高多子扩散会加剧，所以扩散电流会增加，在相同正向电流下，正向导通电压会降低。2、PN结的反向饱和电流由漂移少子形成，温度升高，激发出的漂移少子增多，能够突破势垒的少子增多，反向饱和电流增加。3、雪崩击穿是掺杂浓度低时发生，外加反向电压使漂移少子在内电场中
重拾模电--Day2(二极管的等效电路)
weixin_42744921的博客
11-07 1129
4、PN结的伏安特性 4.1正向特性 　　存在死区电压，当正向的外加电压高于死区电压时，PN结才导通 4.2反向特性 　　反向击穿： 　　1、雪崩击穿（参杂浓度低时），温度越高雪崩击穿所需要的电压越高； 　　2、齐纳击穿（参杂浓度高时），温度越高齐纳击穿所需要的电压越低。 　　反向击穿后温度升高，电流乘以电压就是PN消耗的电功率，功率过大时发热明显，烧毁PN结。当温度没有达到烧毁的温度时，仍可工作。反向的工作状态，可以稳定电压，可以做成稳压二极管。 5、PN结的电容效应（了解即可） 5.1势垒电容 　　P
理解PN结反向击穿现象及其类型
1. **雪崩击穿**：当反向电压增大，少数载流子（如电子）获得足够的能量后，会在空间电荷区与原子碰撞，产生碰撞电离，形成新的电子空穴对，这个过程像雪崩一样导致反向电流急剧增加。这种击穿通常是可逆的，发生在...
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