雪崩击穿（Avalanche Breakdown）和齐纳击穿（Zener Breakdown）

雪崩击穿（Avalanche Breakdown）和齐纳击穿（Zener Breakdown）是半导体器件中两种常见的击穿现象，尤其在二极管（如PN结二极管或齐纳二极管）中。这两种现象都与高电场下载流子的行为有关，但它们的机制、发生条件和应用场景有所不同。以下是详细解释：

1. 雪崩击穿（Avalanche Breakdown）

定义

雪崩击穿发生在当施加在PN结上的反向偏压足够高时，产生的强电场使载流子（电子或空穴）获得足够的能量，通过碰撞产生更多的电子-空穴对，导致载流子数量迅速增加，形似“雪崩”效应。

机制

• 在反向偏压下，PN结耗尽区变宽，电场强度增加。
• 当电场强度达到一定临界值时，少数载流子（由于热激发或杂质产生的电子或空穴）在耗尽区被加速。
• 这些载流子获得的高动能足以通过碰撞将价带中的电子激发到导带，生成新的电子-空穴对。
• 新生成的载流子又被加速并重复这一过程，导致载流子数量呈指数级增长，形成较大的反向电流。

发生条件

• 通常发生在掺杂浓度较低的PN结中，因为耗尽区较宽，击穿电压较高。
• 击穿电压一般在几伏到几百伏之间（例如，普通二极管的击穿电压可能在50V以上）。
• 与温度正相关：温度升高时，晶格振动增强，载流子碰撞几率降低，因此击穿电压略微升高。

特点

• 击穿后电流急剧增加，但只要控制电流不过大，器件不会立即损坏。
• 击穿电压较高，且曲线较为平缓。

应用

• 常用于普通的整流二极管或保护电路中，避免过电压损坏电路。
• 在某些情况下（如TVS管，瞬态抑制二极管），利用雪崩击穿吸收浪涌电压。

---

2. 齐纳击穿（Zener Breakdown）

定义

齐纳击穿是一种量子力学现象，发生在高掺杂的PN结中。当反向偏压产生的高电场使价带电子直接隧穿到导带时，会产生额外的载流子，形成反向电流。

机制

• 在高掺杂的PN结中，耗尽区非常窄（通常小于10纳米），电场强度极高（可达10^6 V/cm）。
• 根据量子隧穿效应，电子无需通过热激发或碰撞，而是直接从价带“隧穿”到导带，生成电子-空穴对。
• 这种效应依赖于强电场和窄耗尽区，不涉及载流子的碰撞增殖。

发生条件

• 通常发生在掺杂浓度很高的PN结中，因为耗尽区窄，击穿电压较低。
• 击穿电压一般低于5-6V（例如，齐纳二极管的典型工作电压在2V到6V之间）。
• 与温度负相关：温度升高时，晶格振动增加，能带间隙变窄，隧穿更容易，击穿电压略微降低。

特点

• 击穿电压较低，电流-电压特性曲线陡峭。
• 适用于精确的电压调节。

应用

• 广泛用于齐纳二极管，作为稳压元件，提供稳定的参考电压。
• 在低电压电路中，用于电压保护或基准电压源。

---

主要区别

特性	雪崩击穿	齐纳击穿
机制	碰撞电离，载流子雪崩增殖	量子隧穿效应
掺杂浓度	较低	很高
耗尽区宽度	较宽	很窄
击穿电压	较高（>6V）	较低（<6V）
温度系数	正相关（电压随温度升高）	负相关（电压随温度降低）
曲线特性	较平缓	陡峭
应用	保护器件、TVS管	稳压器件、齐纳二极管

---

实际中的混合情况

在实际器件中，尤其是击穿电压在5-8V之间的二极管，雪崩击穿和齐纳击穿可能同时发生，称为“混合击穿”。例如，某些标称“齐纳二极管”的器件在较高电压下可能以雪崩击穿为主，但仍沿用“齐纳”这一名称。

总结

• 雪崩击穿依赖于载流子的碰撞增殖，适合高电压场景。
• 齐纳击穿依赖于隧穿效应，适合低电压、高精度稳压场景。 两者在半导体物理中互补，广泛应用于电子电路设计中，根据具体需求选择合适的器件。