SRAM和DRAM

目录

1.速览 

2.DRAM与SRAM的区别

3.DRAM的优化，地址线复用技术

4.DRAM的刷新

什么是刷新？ 

多久需要刷新一次?

每次刷新多少存储单元?

为什么要用行列地址?

如何刷新?

在什么时刻刷新? 

①分散刷新 

②集中刷新 

③异步刷新 

---

1.速览 

名字	Static Random Access Memory	Dynamic Random Access Memory
类型特点	SRAM(静态RAM)	DRAM(动态RAM)
存储信息	触发器	电容
破坏性读出	非	是
读出后需要重写?(再生)	不用	需要
运行速度	快	慢
集成度	低	高
发热量	大	小
存储成本	高	低
易失/非易失性存储器?	易失(断电后信息消失)	易失(断电后信息消失)
需要“刷新”?	不需要	需要(分散、集中、异步)
送行列地址	同时送	分两次送(地址线复用技术)
用处	常用作cache	常用作主存

2.DRAM与SRAM的区别

一方面：

        存储元件上导致的区别，也就是读数据是否需要重写的情况，DRAM在读数据后需要有一个重写操作，而SRAM无需重写。

另一方面：

        制造成本：DRAM只需要一个电容，SRAM需要6个MOS管，可以看出DRAM成本更低，SRAM成本高。
        集成度：DRAM的电容很小，对比SRAM的小了很多，同样一块位置肯定是DRAM的电容数量更多，所以DRAM的集成度高，SRAM集成度低。
        功耗：DRAM对比SRAM所需的功耗更低，因为其元器件对比SRAM的少。

3.DRAM的优化，地址线复用技术

送行列地址（DRAM的优化，地址线复用技术）  

 

同时送：一个地址前面部分送到行地址译码器，而地址后一半部分送到列地址译码器当中，此时需要同时传输行与列地址，也就是需要n位地址线来进行同时传输

在DRAM中通常采用地址线复用技术：也就是行地址与列地址通过前后两次分别进行传输，使用n/2根地址线，通过增加一个行地址缓冲器以及一个列地址缓冲器，分开传输

通过这种策略，原本n条地址线此时就可以优化为n/2根。 

同时也会使芯片的引脚数目更少。 

4.DRAM的刷新

 

什么是刷新？ 

 

        由于DRAM使用的存储元是栅极电容，电容内的电荷只能维持2ms。即便不断电，2ms后信息也会消失 。

        而SRAM使用的双稳态触发器就不会，只要不断电触发器的状态就不会改变。

 

 所以2ms内就需要给DRAM中的电容充电，这就叫作刷新。

 

多久需要刷新一次?

 

刷新周期般为2ms。

 

每次刷新多少存储单元?

 

以行为单位，每次刷新一行存储单元

 

为什么要用行列地址?

减少选通线的数量

如何刷新?

有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期

在什么时刻刷新? 

 

假设现在一个存储体中的存储单元按128✖128的形式排列，读写（存取）周期为0.5us。 

2ms共占2ms / 0.5us = 4000个读写周期。

 

①分散刷新 

每次读写完都刷新一行

系统的存取周期变为1us

前0.5us时间用于正常读写

后0.5us时间用于刷新某行

②集中刷新 

2ms内集中安排时间全部刷新 

系统的存取周期还是0.5us

有一段时间专门用于刷新，

无法访问存储器，称为访存“死区” 

③异步刷新 

2ms内保证每行刷新1次即可 

2ms内需要产生128次刷新请求 

每隔2ms/128=15.6us 一次

每15.6us内有0.5us的“死时间”