SRAM和DRAM工作原理介绍

目录

前言

一、SRAM

1、简介

2、电路图

3、工作原理

二、DRAM

1、简介

2、电路图

3、工作原理

三、价格及差异对比

总结

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前言

今天更新一篇SRAM和DRAM相关的博客，工作原理以及差异都会说明。

一、SRAM

1、简介

SRAM（Static Random Access Memory），静态随机存取存储器。

2、电路图

    

3、工作原理

假设Q（Q_B为1）的初始状态为0，word为0。

数据写入1：（1）bit拉为1（bit_B）为0；（2）word由0拉为1，M5、M6导通，Q为1；（3）M1截止，M3导通，M2导通，M4截止；（4）word置0，M5、M6关闭，Q处于1状态。

数据读出1：（1）预充bit和bit_B为1；（2）word由0拉为1，bit_B通过M6、M2放电到0，bit通过M3、M5充电到1；（3）word置0，M5、M6关闭，完成读过程。

数据保持：（1）word为0时，M5、M6截止，内部的状态Q和Q_B保持。

二、DRAM

1、简介

DRAM（Dynamic Random Access Memory），动态随机存取存储器。

2、电路图

前提：（1）施加到存储电容上的电压为1/2的电源电压（Vcc/2）；（2）由于电子是带负电荷，因此电子越多处的电势就越低。

3、工作原理

类比水库，将水库顶部的电势定为0V，水库底部的电势定为Vcc，存储资料、写入资料及读取资料类比储水、进水、放水。

存储资料：当水库闸门关闭时（行地址线路Vth = 0V），水库中的水无法流水，上游的水也无法流入，存储在水库中的水的水位保持不变，，因此可以实现存储资料的目的。

       

写入资料（写入0）：（1）由于之前可能有资料，水库中可能是满水或者缺水空水的状态；（2）将上游水道（列地址线路）中的水位上升到满水，相当于低电位状态（列地址线路Vcc = 0V）；（3）利用行地址线路控制（Vth = 高电平）将上游闸门打开，由于上游水道（列地址线路Vcc = 0V）水位全满为高水位状态，因此根据水库中水位状态，会将水池填满，使得水库变为高水位（低电平状态0）。

         

读取资料（读出0）：DRAM存储单元中读取资料时，一般使用的列地址选路Vcc/2预充电技术。（1）水库中水位全满（电位0V），水道中水位先预设在2.5V；（2）打开水闸，也就是行地址线路为高电平，使得水库中的水回流到水道（列地址线路）中，由于水库中水量很小，因此只能使得水道中水位微幅上升。当感应放大器检测到水道的水位产生delta的变化时，就可以辨别出水库（电容）中的资料为0。

其中，水位的变化为：delta = 5/2(1 + Cb/Cs)，水道（列地址线路）的电容量大于水库（行地址线路）的容量。由于没有外界水道中的水来补充水库，那么水库中的水位由于蒸发、渗透会慢慢减少，最后干涸。因此，原理图中的电容也一样，需要隔一段时间刷新、充电，这就是动态的原因。

三、价格及差异对比

1、SRAM速度快但面积大，因此相对DRAM集成度低，功耗大，但是速度快，同面积上可以制造更多的DRAM但只能有很少的SRAM，所以注定SRAM不可以大容量存储，所以价格更贵。

2、SRAM晶体管很多，发热量大，也限制了大面积。DRAM需要不停地刷新电路，否则内部的数据将会消失。同时不停刷新电路的功耗是很高的，在我们的PC待机时消耗的电量有很大一部分都来自于对内存的刷新。

总结

今天更新了一下SRAM以及DRAM的差异，在介绍DRAM时，博主曾经看到了这个水库的例子，觉得生动形象，同学们可以借水库来更好地理解DRAM的工作过程。