第二章0203

最新推荐文章于 2024-05-31 09:55:17 发布

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分类专栏：模拟集成笔记文章标签：硬件工程

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MOS器件物理0203

第二章

基本概念
I/V特性
小信号模型
信号的表述方式
小信号概念的理解
跨导
MOS理想小信号模型

二级效应

信号的表示方式

直流或者偏置量:大写的符号和大写的下标

直流电压、偏置电压、直流电流、偏置电流
$V_{GS},I_{D},V_{DS},V_B...$

小信号:小写的符号和小写的下标

电压或者电流增量或变化量
$i_d,V_{gs},V_{ds}...$

瞬时量:大写的符号和小写的下标

$V_{gs}=V_{GS}+v_{gs}$

MOSFET小信号模型

放大器的直流分析

在这里插入图片描述

假设MOS工作于饱和区

$\begin{aligned}& I_D=\frac{\mu_nC_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_B-V_{TH})^2\\&V_{OUT}=V_{DD}-I_DR_D\end{aligned}$

瞬态分析

$\begin{aligned}I_d&=\frac{\mu_nC_{\mathrm{ax}}}{2}\frac{W}{L}(V_{_{in}}-V_{_{TH}})^2=\frac{\mu_nC_{_{ox}}}{2}\frac{W}{L}[(V_{_B}-V_{_{TH}})+\nu_{_a}\sin(\omega t)]^2\\&=I_D+[\mu_nC_{_{ox}}\frac{W}{L}(V_{_B}-V_{_{TH}})]\cdotp\nu_{_a}\sin(\omega t)+\frac{\mu_nC_{_{ox}}{2}\frac{W}{L}\cdotp[\nu_{_a}\sin(\omega t)]^2}\\&\qquad \qquad \qquad \qquad \qquad i_d \qquad \qquad \qquad \qquad \quad nonlinerity\end{aligned}$

当小信号幅值不够大时，非线性段可忽略，所以：

$\begin{aligned}I_d=I_D+i_d&\quad V_{out}=V_{DD}-I_dR_D=(V_{DD}-I_DR_D)-i_dR_D\\&\quad=V_{OUT}+\nu_{out}\\&\begin{aligned}\nu_{out}=-i_dR_D=-[\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_B-V_{TH})]\cdotp R_D\cdotp\nu_a\sin(\omega t)\end{aligned}\\ &\qquad\qquad\qquad\qquad\qquad\qquad \textcolor{red}{增益}\end{aligned}$

$\begin{aligned}\nu_{in}&=\nu_a\sin(\omega t)\\\nu_{out}&=-i_dR_D=-[\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}(V_B-V_{TH})]\cdotp R_D\cdot\nu_a\sin(\omega t)\\&\qquad\qquad\qquad\qquad\qquad \textcolor{red}{跨导g_m}\end{aligned}$

在这里插入图片描述

$\begin{aligned}g_m&=\frac{\partial I_D}{\partial V_{GS}}|V_{DS}=constant\qquad V_{GS}对I_{D}的控制能力\\I_D&=\frac{\mu_nC_{_{ox}}}{2}\frac{W}{L}(V_{_{GS}}-V_{_{TH}})^2\\g_m& =\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH}) \\ &=\sqrt{2\mu_{n}C_{ox}\frac{W}{L}I_{D}} \\ &=\frac{2I_{D}}{V_{GS}-V_{TH}}\end{aligned}$