动态RAM的刷新

动态RAM的刷新

刷新的过程实质上是先将原存信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程。
规定在一定的时间内，对动态ＲＡＭ的全部基本单元电路必做一次刷新，一般取２NS，这个时间称为刷新周期，又称再生周期

１.集中刷新

在一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读／写操作。

例如：
对128*128矩阵的存储芯片进行刷新时，若存取周期为0.5us,刷新周期为2ms（占
4000个存取周期），则对128行刷新工序64us（占128个周期），其余的1936us（
共3872个存取周期）用来读/写或维持信息。由于在64us时间内不能进行读/写操作，
故称为死时间，又称访存死区所占比率为128/4000=3.2%，称为死时间率。

２.分散刷新

对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。

把机器的存取周期t分成两段，前半段用来读/写或维持信息，后半段用来刷新。若
读写周期为0.5us，则存取周期为1us。仍以128*128的存储芯片为例，刷新按行进
行，每个128us就科技那个存储芯片全部刷新一遍。
优点：刷新时间短
缺点：存取周期长，系统速度降低

３.异步刷新

前两种方式的结合，即可缩短”死时间“，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。