动态RAM的刷新
刷新的过程实质上是先将原存信息读出,再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程。
规定在一定的时间内,对动态RAM的全部基本单元电路必做一次刷新,一般取2NS,这个时间称为刷新周期,又称再生周期
1.集中刷新
在一个刷新周期内,对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新,此刻必须停止读/写操作。
例如:
对128*128矩阵的存储芯片进行刷新时,若存取周期为0.5us,刷新周期为2ms(占
4000个存取周期),则对128行刷新工序64us(占128个周期),其余的1936us(
共3872个存取周期)用来读/写或维持信息。由于在64us时间内不能进行读/写操作,
故称为死时间,又称访存死区所占比率为128/4000=3.2%,称为死时间率。
2.分散刷新
对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。
把机器的存取周期t分成两段,前半段用来读/写或维持信息,后半段用来刷新。若
读写周期为0.5us,则存取周期为1us。仍以128*128的存储芯片为例,刷新按行进
行,每个128us就科技那个存储芯片全部刷新一遍。
优点:刷新时间短
缺点:存取周期长,系统速度降低
3.异步刷新
前两种方式的结合,即可缩短”死时间“,又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点。