TLC Flash 笔记

TLC flash在每个flash单元中存储三个具有不同编程延迟的位，即LSB(最低有效位)、CSB(中央有效位)和MSB(最高有效位)。wordline单元中相同类型(编程延迟)的位构成页面。因此，TLC flash中的页面有三种不同的类型:LSB、CSB和MSB。按照惯例，一个wordline内的三种不同类型的页面被逐页单独编程，并且在完全编程(所有三页都被编程了)字行之前可以阅读页面。许多现有的研究表明，这三种类型的页面具有显著不同的程序延迟。通常，对于25nm的TLC flash, LSB、CSB和MSB页面显示了500ms、2000ms和5500 ms程序延迟，分别是。此外，编程一个CSB(MSB)页需要首先访问关联的LSB(LSB和CSB)页（在SSD的DRAM中进行缓存），从而导致更长的程序延迟。在编程CSB和MSB页面时，为了减轻物理读取额外页面的需求对性能的影响，在DRAMin常规TLC SSD中，通常缓冲未完全编程的wordline中的LSB和CSB页面。

编程顺序的核心：
首先，这三个编程约束实际上保证了完全编程的字行被不超过一个相邻页的程序所干扰，这是严格编程顺序最小化单元间程序干扰的核心，因此，理论上它们提供了与严格程序顺序相同的好处。此外，前人提出的类似研究已经通过实验证明，在MLC块中使用放宽的程序约束来近似两个保证不会显著增加程序干扰误差。由于TLC flash中的cell-to-cell程序干扰与MLC flash中的非常相似的特点，我们建议在TLC flash中使用类似的宽松编程约束，并有合理的规定，即程序干扰误差可以忽略不计。