IMX6ULL之裸机篇DDR3的常用的时间参数

一.   DDR3的时间参数

DDR3内存常用的几个时间参数包括如下：

传输速率，tRCD 参数，CL 参数 ，tRC参数，tRAS 参数。

1.  传输速率

例如 1066MT/S、1600MT/S、1866MT/S 等，这个是首要考虑的，因为这个决定了 DDR3 内

存的最高传输速率。

2.  tRCD 参数

tRCD 全称是 RAS-to-CAS Delay，也就是行寻址到列寻址之间的延迟。

DDR 的寻址流程是先指定 BANK 地址，然后再指定行地址，最后指定列地址确定最终要寻址的单元。

tRCD参数：

BANK 地址和行地址是同时发出的，这个命令叫做“行激活”(Row Active)。行激活以后就发送列地址和具 体的操作命令(读还是写)，这两个是同时发出的，因此一般也用“读/写命令”表示列寻址。在

行有效(行激活)到读写命令发出的这段时间间隔叫做 tRCD。

3.  CL 参数

当列地址发出以后就会触发数据传输，但是，数据从存储单元到内存芯片 IO 接口上还需要一段

时间，这段时间就是非常著名的 CL(CAS Latency)，也就是列地址选通潜伏期。

4.  tRC参数

tRC 是两个 ACTIVE 命令，或者 ACTIVE 命令到 REFRESH 命令之间的周期， DDR3L 数

据手册会给出这个值。

5.  tRAS 参数

tRAS 是 ACTIVE 命令到 PRECHARGE 命令之间的最小时间，DDR3L 的数据手册同样也

会给出此参数。

这里简单介绍了DDR3的时间参数。参数的值在相应的DDR内存芯片数据手册中都可以查阅的到。

以上的参数，在后面配置 DDR3 时是有用的。