1. MOS管可以看成开关。当栅源电压VGS大于阈值电压VT时,源漏之间会形成导电沟道。如果源漏之间有电压差(VDS 不等于0),则会有电流流过。VDS较小时,为线性工作区,电流随电压VDS的增大几乎成线性方式增大,当VDS > VGS - VT时,电流不在增大,而保持常数(与VGS成平方关系),为饱和区。
2. NMOS的阈值电压为正,PMOS的阈值电压为负值。
1. MOS管可以看成开关。当栅源电压VGS大于阈值电压VT时,源漏之间会形成导电沟道。如果源漏之间有电压差(VDS 不等于0),则会有电流流过。VDS较小时,为线性工作区,电流随电压VDS的增大几乎成线性方式增大,当VDS > VGS - VT时,电流不在增大,而保持常数(与VGS成平方关系),为饱和区。
2. NMOS的阈值电压为正,PMOS的阈值电压为负值。