应用NMOS和晶体三极管作为基本开关管的相关知识

一、NMOS（参考清华的模电和数电教材NMOS相关章节）

1.Vgs < Vgs(th)，沟道截止，Id = Ileak

2.Vgs > Vgs(th)且Vgs数值已定下来，沟道有两种状态

1)完全打开，发生在Vds较小时（Vds<Vgs -Vgs(th)），此时为沟道表现为一个线性电阻（视为饱和）

2)夹断，发生在Vds较大时（Vds>Vgs -Vgs(th)），此时为恒流，Id受Vgs控制（视为放大）

 

3.综上，对于NMOS来说，Vgs大于Vth即可导通，但是有两种状态，实际作为开关管的使用过程中，选择合适的电路参数（使得Vds < Vgs - Vgs(th)），提高输出偏置的上拉电阻，在分压后使得Vds较小，或提高Vgs以让Vds相对较小，使得沟道处于完全打开的状态，即线性电阻区域，而不会出现夹断状态。对于Vgs来说，大于输出偏置还是小于输出偏置没有影响，因为偏置不等于Vds，且输入还要减掉Vgs(th)，才可以让Vds和Vgs-Vgs(th)作比较，以看工作在哪个状态。我们在把NMOS作为数字开关应用时，应使得工作在曲线中以下两个位置之一：

 

 

4.NMOS在工作时gate极是没有电流的，相当于一个电容，因此很容易收到干扰，即使不加Vgs电压，在gate极浮空时，也会因为各种干扰导致沟道打开，我用手摸（市电）也会导致gate极充电从而打开沟道。因此应用MOS管时gate极不可以浮空

二、晶体管（三极管）

设计电路参数，由于Ube基本无法增大（PN性质），因此应增大输出上拉电阻，使得管子打开时工作于饱和区

在极间电压中，Vbe可以大于Vce，若be已导通，此时管子饱和