MC9S12G128 内部flash与eeprom的读写配置

本文档详细介绍了如何对MC9S12G128微控制器的内部Flash和EEPROM进行初始化、读写及擦除操作。通过初始化函数设置时钟,然后使用特定的命令和地址进行数据存取。写入过程涉及缓冲区数据的写入,并确保标志位的正确处理。擦除操作同样需要设置命令和地址。读取数据则可通过指针直接完成。
摘要由CSDN通过智能技术生成

因为MC9S12G128 有内部flash和eeprom所以不需要用到 sci来通信。


并且MC9S12G128的flash与eeprom是共同管理的所以存取方式相同,只是地址范围不同。如下表所示


flash module的初始化

void eeprom_Init(){
   while(FSTAT_CCIF==0);            //等待正在处理的FLASH操作完成
   FCLKDIV=0x17;                    //外部晶振为24M.FLASH时钟不超过1M
   while(FCLKDIV_FDIVLD==0);        //等待时钟设置成功
}其中FCLKDIV的设置是根据busclock来进行选择的,我用的是24M,其他

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