闪存的物理结构

 

 

• device：（也就是上图的package）

The packaged NAND unit. A device consists of one or more NAND Targets.

device就是封装好的nand flash单元，包含了一个或者多个target

 

•  target：

A target is organized into one or more logical units (LUNs)，Logical units that are part of a NAND Target share a single data bus with the host.

A target is controlled by one CE_n signal. A set of LUNs that share one CE n signal within one NAND package.

一个target包含了一个或者多个lun，一个target的一个或者多个lun共享一组数据信号

每个target都由一个ce引脚（片选）控制，也就是说一个target上的几个lun共享一个ce信号

如图一，一个package包含了两个target，每个target包含了一个lun，每个target都有独立的数据接口

如图二，一个package包含了4个target，每个target包含了4个lun，每个target都有独立的数据接口，但每个target中的四个lun共享一组数据接口

 

• LUN：逻辑单元

A logical unit (LUN) is the minimum unit that can independently execute commands and reportstatus.

LUN又可以称作Die，是闪存内可执行命令并回报自身状态的最小独立单元。

一个lun可以拥有1到多个Plane。如东芝BiCS3闪存的一个512Gb Die，包含了两个256Gb容量的Plane面，总容量512Gb。

• Plane：面

每个Plane都是由数百乃是数千个Block页组成的。每个plane都有独立的page register和cach register。

page register. A page register is used for the temporary storage of data before it is moved to a page within the Flash array or after it is moved from a page within the Flash array.

• Block：块

A block is the smallest erasable unit of data within the Flash array of a LUN. There is no restriction on the number of blocks within the LUN. A block contains a number of pages.

每个Block都是由数百乃是数千个Page页组成的。

nand的最小擦除单元是Block。

 

• Page：页

A page is the smallest addressable unit for read and program operations. A page consists of a number of bytes or words. The number of user data bytes per page, not including the spare data area. shall be a power of two. The number of pages per block shall be a multiple of 32.

每个Page又是由大量的Cell单元构成，每个Page的大小通常是16KB。

Page是闪存当中能够读取和写入的最小单位。即如果你需要读取512字节的数据，那在闪存层面上就必须把包含这512字节数据的整个Page页内容全部读出（实际发生的读取16KB）。

 

• Cell：单元

Cell是闪存的最小工作单位，执行数据存储的任务。闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。

 

NAND FLASH就是由成千上万个cell按照一定的组织结构组成的。

上图是一个闪存Block的组织结构，

每一行是一个WordLine（如上图黄色圆圈），一个WordLine对应着一个或若干个Page，取决于SLC,MLC或者TLC。对SLC来说，一个WordLine对应一个Page；MLC则对应2个Page，这两个Page是一对：Lower Page 和Upper Page；TLC对应3个Page。一个Page有多大，那么WordLine上面就有多少个存储单元（Cell），就有多少个Bitline。一个Block当中的所有这些存储单元（Cell）都是共用一个衬底的。

wordline是字线，将一定数量（2的n次方）的存储单元的控制端连接起来。当wordline上为H时，存储单元打开，此时BL上就可以读或者写数据到存储单元了。所以page是最小的读写单位。

这里总共有256个page，组成了一个block。闪存的擦除是以Block为单位的。为什么呢？那是因为在组织结构上，一个Block当中的所有存储单元是共用一个衬底的（Substrate）。当你对某衬底施加强电压，那么上面所有浮栅极的电子都会被吸出来。

 

ref：

http://www.onfi.org/

https://www.sohu.com/a/286185864_615464

《深入浅出SSD 固态存储核心技术、原理与实战》

https://blog.csdn.net/cighao/article/details/50737058

https://www.sohu.com/a/286185864_615464