初步方案
1. 尽可能把d电子的能带拟合好。
2. p电子两个参数t和mu
3. 然后调参数。
4. 我把程序框架搭出来,然后如果我调不出来,请XXX帮忙。
1. 直接用模型Tight-binding,其中d轨道用三带Tight-binding, p轨道用单带Tight-bind
其中p轨道用三角格子单带模型拟合,由于极化率只有费米面附近的电子有贡献,因此这个近似是可行的,可以调的参数就是μ和t
d轨道已经有三带的tight-binding,但是这个参数比较多。比较难调。所以最好给出一个比较简单的单带,或者争对VSe2的参数
以上方案可以直接算,准不准不好说。