计算极化率方案

本文提出了一种使用紧束缚模型来拟合d电子和p电子能带的初步方案。对于p电子采用三角格子单带模型,并通过调节μ和t参数进行拟合;而d电子则考虑使用三带紧束缚模型,但由于参数较多,建议提供更简洁的单带模型或针对VSe2的参数。

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初步方案

1. 尽可能把d电子的能带拟合好。

2. p电子两个参数t和mu

3. 然后调参数。

4. 我把程序框架搭出来,然后如果我调不出来,请XXX帮忙。

 

1. 直接用模型Tight-binding,其中d轨道用三带Tight-binding, p轨道用单带Tight-bind

其中p轨道用三角格子单带模型拟合,由于极化率只有费米面附近的电子有贡献,因此这个近似是可行的,可以调的参数就是μ和t

d轨道已经有三带的tight-binding,但是这个参数比较多。比较难调。所以最好给出一个比较简单的单带,或者争对VSe2的参数

以上方案可以直接算,准不准不好说。

 

 

 

 

 

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