在暗环境中，为了使CMOS能获取足够光线清晰成像，通常采用增加光照强度、延长曝光时间或增大感光面积。然而，线阵相机的曝光时间受限于运动速度，增强光照不适用于狭小空间，且大靶面CMOS成本高、体积大。TDI技术通过多行芯片区域的逐行叠加信号，实现图像亮度和清晰度的提升，尤其适用于这些限制条件下。
多线技术：TDI时间延迟积分
在比较暗的环境下拍照，清晰成像的条件，是CMOS芯片获取足够的光。而获得足够光的方法有：
方案1.增加单位时间的光照强度（光源、大镜头收集光）
方案2.增加CMOS感光时长（延长曝光时间）
方案3.增加CMOS的感光面积（大靶面大像元）
下列限制，使得TDI有了用武之地
* 由于线阵相机的拍照频率（行频），要与运动速度保持匹配，所以，曝光时间不能随意增加，方案2不能用
* 某些场景下，又无法增强光照（狭小空间），方案1不能用
* 用大靶面CMOS芯片，成本太高，或体积太大，无法在现场安装，方案3不能用
TDI的本质
用不同行的芯片区域，对物体同一个区域拍照，每一行被光子激发的电子，都叠加到下一行去，让下一行间接获得了上一行的“光”，经过多次叠加后，最后一行的图像就足够“亮”，足够清晰了
TDI成像效果：从第1行到第10行，图像逐渐变明亮、清晰
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