7.1 噪声的统计特性
- 由于放大器对噪声的放大,噪声限制了输入信号的最小值。
经过放大器后SNR都会下降
(SN)out=𝐴∗𝑆𝑖𝑛𝐴∗𝑁𝑖𝑛+𝑁𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡
LNA:噪声因子(𝑁𝐹=𝑆𝑁𝑅𝑖𝑛−𝑆𝑁𝑅𝑜𝑢𝑡)小
衡量噪声性能用dB数
如果是电压用20log
如果是功率用10log - 噪声的定义:
广义——确定性/可预测的干扰、不想要的随机信号。本书只考虑后者。
- 噪声平均功率的常用定义:
放大器对不同频率信号放大作用是不一样的
想得到之后平均功率随频率的的分布 - 噪声的第一种表示方法:频谱分析法。
算功率谱先有电压谱 - 噪声功率谱𝑆𝑥(𝑓):Noise power carried by different frequency component, or Power Spectrum Density(PSD)。
测量给定频率的噪声功率谱:f𝑓附近1-Hz带宽窗口内x(t)𝑥(𝑡)具有的平均功率(带通滤波器)
PSD单位:𝑉2/𝐻𝑧
平均噪声功率:
VSD单位:V/Hz−−−√𝑉/𝐻𝑧
平均噪声电压: - LTI系统对噪声的整形
定理:当PSD为Sx(f)𝑆𝑥(𝑓)的信号通过一个传输函数是H(f)𝐻(𝑓)的线性时不变系统时,输出信号的PSD是:
- 噪声的第二种分析法:统计学方法。
测量大量噪声样本的幅值,计算概率密度分布函数PDF(probability distribution function)。
绝大多数噪声分布满足高斯/正态分布(Gaussian/normal distribution),PSD形式:(σ2𝜎2表示方差,m𝑚表示均值)
用方差表示噪声功率:
(对于单边频谱)
- 噪声的相关性(correlation):噪声信号的相似程度。不相关噪声的平均功率等于各自的平均功率之和。相关噪声可能产生抵消/增强。怎么判断相关不相关?
- 噪声分析流程
噪声是电路本身属性 和输入没有关系- 确定噪声源
- 独立分析每个噪声源对输出端的影响(算输出表达式)对晶体管的分析要分类
- 计算每个噪声源贡献的噪声谱
- 把所有谱加起来,注意对噪声相关性的修正
- 噪声的静态特性
7.2 噪声类型
- 电阻热噪声thermal noise
电子随机热运动在导体两边产生电压 - 噪声建模
在传输函数的基础上去算(把噪声的影响相乘)
串联的噪声电压源(上面是平均功率)
单边功率谱 Vn^2=4kTR 最后算出来是某个频率下的公式
k 1.38*10^(-23) J/K 是玻尔兹曼常数 T是绝对温度 300K室温
纵轴单位是V ^2I^2=V^2/R^2=4kT/R (A^2/Hz)
对于一个RC网络低通滤波器,电阻产生的热噪声和电阻无关,和电容大小反相关。
计算实例:
要会算复数的模方
最终结果和R无关:RC串联低通滤波,带宽是1/RC 作用抵消了 - MOSFET
(1)沟道热噪声
对于工作在饱和区的长沟道MOS——用连接在源漏两端的电流源模拟。‘
gm=1/R
长沟道晶体管:γ≈2/3𝛾≈2/3。submicron器件增加到2.5。噪声功率谱为
(2)欧姆区热噪声——由寄生电阻产生
对于W较大的晶体管,源、漏电阻通常可以忽略,但栅的分布电阻变得很显著。
通过适当的版图减少栅电阻:
增加contacts,用金属线连接栅的两端。采用指插结构。RG变为原来1/4 不是很理解
- (3)闪烁噪声flicker noise:
栅氧化层和硅的界面有许多悬挂键,随机捕获和释放界面处的载流子,在漏电流中产生闪烁噪声(低频很强)。用一个和栅极串联的电压源模拟:K是和工艺有关的常量。不关心非常低频的成分。
PMOS的1/f噪声比NMOS低。MOS的1/f噪声比BJT严重。
怎么减小这个噪声?
更大面积
转角频率:
左边1/f噪声占主导,之后电阻热噪声主导
gm=UnCoxW/L Vgs L固定之后 转角频率也基本固定
7.3 电路中的噪声表示
- 规定输入参考噪声(IRN,input referred noise):在二端口网路电路的输入端用一个串联电压源和一个并联电流源代表电路中所有噪声源的影响。便于表示给定SNR下电路能够检测的输入信号的最小值。是fictitious quantity。
- 输出端就可以得到信噪比
- 输入等效噪声的计算
信号源阻抗<<电路输入阻抗——
信号源阻抗>>电路输入阻抗—— - 信号源计算:
V2n,in¯𝑉𝑛,𝑖𝑛2¯和I2n,in¯𝐼𝑛,𝑖𝑛2¯是相关的,不能进行功率叠加。但由于电路是线性时不变系统,所以叠加适用于电压和电流,所以Vn,in𝑉𝑛,𝑖𝑛和In,in𝐼𝑛,𝑖𝑛可以叠加。
- 只有输入阻抗小、前一级输出阻抗大时才考虑In,in𝐼𝑛,𝑖𝑛
对于多级放大器,第一级的输出噪声对整个电路的输入参考噪声的影响最大。
7.4 单级放大器中的噪声
- 辅助定理:
由有限阻抗驱动的两个电路,满足。在低频时,对任意ZS𝑍𝑆,两个电路等效。
该定理说明:对于任意ZS𝑍𝑆,噪声源都能由漏源电流变换成和栅串联的电压。 - 共源极:低频时输入阻抗很大,不考虑In,in𝐼𝑛,𝑖𝑛
Class-AB结构:噪声低。但难以偏置。
- 共栅级
严重缺点:负载的噪声电流直接影响输入参考噪声,所以很少用来做低噪声放大器。
- 共源共栅级
低频时,偏置管对噪声的贡献很小。 - 源跟随器
- 电流镜负载
- 差动放大器