电子技术基础（模拟电路部分）（1)-二极管+三极管

最新推荐文章于 2024-05-11 22:50:40 发布

Nwiliuyw

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文章标签：笔记经验分享学习

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由于我们学校的cs专业的电子技术基础这门课包含两部分，模电+数电，但学分总共就三个学分，所以每个板块讲的都不深，但由于马上就要结课考试了，所以鼠鼠我啊只能把学的不多的模电部分从头梳理一下，如果我有没讲到的，大家理解一下（毕竟我只会写我们这门课需要考的部分）。

我们模电学习了以下几个部分：

1.第一章半导体器件部分

2.第二章放大电路的基本原理和分析方法

3.第五章集成运算放大电路部分（这一块我们老师讲的不多）

4.第六章放大电路中的反馈（我们学校这门课的重点在判断，不在计算）

5.第七章模拟信号运算电路（重点：理想运放工作在线性区的特点、比例运算电路、求和电路）

6.第八章信号处理电路（重点：滤波器和电压比较器）

目前就这么多，下面我一章一章讲一下（创造不易，各位大佬看完觉得有帮助的话就顺手赞一个呗），由于内容很多，我会分文章讲一下。

1.第一章半导体器件部分

1.1

半导体定义：导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质

本征半导体：非常纯净的不含杂质的半导体

杂志半导体：在纯净的半导体中掺入某种特定杂志

这个杂志半导体又分为P型和N型的，我们在这只要知道P型半导体的主要载流子是空穴，N型半导体主要载流子是电子（positive和negative），剩下的化学物理原理我就不讲了（doge）

PN结：半导体一侧是P型一侧是N型；

PN结的正向偏置：P的电位高于N的电位，反正为反向偏置，正向偏置的时候会导通，反之不会，所以PN结具有单向导电性，这也为后面二极管、三极管的制作打下基础

1.2

二极管部分：二极管的符号我就不画了，这个大家应该都知道

二极管按制作材料分有硅管和锗管两种（后面的0.3v和0.7v就这么分的），按结构来分有接触型和面结型。

二级管的V-A特性曲线：

正向特性：图像的右半部分，可以看到电压达到某个值的时候，电流急速增长，这个电压就是正向导通压降。

反向特性：有一个反向饱和电流和反向击穿电压(Is和Ubr)。

二极管的几个等效模型：

理想模型、恒压降模型、折线模型

理想模型没什么讲的，就是很简单的正向导通，反向截止。

恒压降模型考虑的二极管正向导通压降，正向施加的电压必须大于这个值才能导通，否则跟反向一样截止。

折线模型：

右边接一个rD的目的就是增大右边的电位，从而模拟出这个折线模型。

二极管的应用电路：

1.限幅电路

字很丑，各位勿喷（保命）

2.逻辑电路

b图我就不做了（doge）

特殊二极管：

1.稳压管（这个重要一点）

当二极管工作在反向击穿区时可以看到当电流变化很大时电压变化却很小，利用这个特点可以实现“稳压”作用。注意它的图像长的跟普通的二极管有点区别，多了一个拐

后面做题的时候看到稳压管的稳压作用多一点，然后就是稳定电流 $I_{z}$ 和动态内阻 $r_{Z}$ $=\frac{\Delta U}{\Delta I}$ ,一般来说，工作电流较大时稳压性能较好。其他的稳压管性能我就不介绍了。

2.发光二极管

3.光电二极管

4.变容二极管

5.肖特基二极管（2、3、4、5非重点，至少我们上的课是这样的）

1.3

三极管的结构：由发射区、基区、集电区引出发射极（e），基极（b）和集电极（c）。详细结构图这里不做展示了，看着头昏。在三个区的两两交界处会形成两个PN结，分别是发射结和集电结。

NPN型和PNP型三极管符号，不过我们考试看到的基本都是NPN型的。

三极管要工作在放大区必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置。如果两个都正向就是饱和区、两个都是反向就是截止区。

三极管中载流子运动的主要过程我这里就不写了。此外，因为集电结反向偏置，所以集电区的少子空穴和基区中的少子电子在外电场的作用下还将进行飘移运动形成反向电流，这个电流称为反向饱和电流，用 $I_{CBO}$ 表示。

下面是三极管的电流分配关系：

下面是三极管的特性曲线：

1.输入特性：

当三极管的 $u_{CE}$ 不变时，输入回路中的电流 $i_{B}$ 与电压 $u_{BE}$ 之间的关系曲线称为输入特性

至于为什么随着 $u_{CE}$ 的增大曲线会往右移，是因为当 $u_{CE}$ 增大时，扩散到基区的电子会往集电极移动，导致基区这边电子减少，这才导致了基区想要有更大的电流只能通过增大 $u_{BE}$ 的值才能提高对电子的吸引力，不过 $u_{CE}$ 有一个饱和值，大于这个值后即使 $u_{CE}$ 再增大 $i_{B}$ 也不会减小什么了。

2.输出特性