STM32温度传感器18B20

最新推荐文章于 2024-07-15 22:29:12 发布

永恒pre

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分类专栏： STM32 单片机文章标签： c语言

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1.18b20特点
1）单总线双向传输
2）测温范围-55-+125度，精度±0.5度
3）支持多点组网功能，多个DS18B20可以并联在唯一的三线上，最多只能并联8个，实现多点测温，如果数量过多，会使供电电源电压过低，从而造成信号传输的不稳定。
4）工作电源: 3.0~5.5V/DC （可以数据线寄生电源）。
5）在使用中不需要任何外围元件。
6）测量结果以9~12位数字量方式串行传送。
在这里插入图片描述

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2.18b20信号类型
一共6种：复位脉冲、应答脉冲、写0、写1、读0和读1，除了应答脉冲以外，都由主机发出同步信号。并且发送所有的命令和数据都是字节的低位在前。
正点原子阿波罗F767:
信号线PB12

//IO方向设置
#define DS18B20_IO_IN()  {GPIOB->MODER&=~(3<<(12*2));GPIOB->MODER|=0<<12*2;}	//PB12输入模式
#define DS18B20_IO_OUT() {GPIOB->MODER&=~(3<<(12*2));GPIOB->MODER|=1<<12*2;} 	//PB12输出模式
 
//IO操作函数							   
#define	DS18B20_DQ_OUT(n) (n?HAL_GPIO_WritePin(GPIOB,GPIO_PIN_12,GPIO_PIN_SET) \
                                     :HAL_GPIO_WritePin(GPIOB,GPIO_PIN_12,GPIO_PIN_RESET)) //数据端口PB12
#define	DS18B20_DQ_IN  HAL_GPIO_ReadPin(GPIOB,GPIO_PIN_12) //数据端口	PB12

1.复位
单总线上的所有通信都是以初始化序列开始。主机输出低电平，保持低电平时间至少480 us，，以产生复位脉冲。接着主机释放总线，4.7K的上拉电阻将单总线拉高，延时15～60 us。

//复位DS18B20
void DS18B20_Rst(void)	   
{                 
    DS18B20_IO_OUT(); //设置为输出模式
    DS18B20_DQ_OUT=0; //拉低DQ
    delay_us(750);    //拉低750us（至少480us)
    DS18B20_DQ_OUT=1; //DQ=1拉高释放总线 
    delay_us(15);     //15US
    //进入接受模式，等待应答信号。
}

2.应答信号
进入接收模式(Rx) 接着DS18B20拉低总线60~240 us，以产生低电平应答脉冲。
逻辑：首先判断有无低电平，后检查低电平时长。

//等待DS18B20的回应
//返回1:未检测到DS18B20的存在    返回0:存在
u8 DS18B20_Check(void) 	   
{   
    u8 retry=0;
    DS18B20_IO_IN();//SET PA0 INPUT	 
    while (DS18B20_DQ_IN&&retry<200)
    {
           retry++;
           delay_us(1);
     };	 
    if(retry>=200)return 1;
    else retry=0;
    while (!DS18B20_DQ_IN&&retry<240)
    {
            retry++;
            delay_us(1);
    };
    if(retry>=240)return 1;	    
    return 0;
}

3.写时序
写1时序：主机输出低电平，延时2us，然后释放总线，延时60us。
写0时序：主机输出低电平，延时60us，然后释放总线，延时2us。
可看出先发送的是低位

//写一个字节到DS18B20
//dat：要写入的字节
void DS18B20_Write_Byte(u8 dat)     
 {             
    u8 j;  
    u8 testb;
    DS18B20_IO_OUT();//设置PA0为输出
    for (j=1;j<=8;j++) 
   {
        testb=dat&0x01;
        dat=dat>>1;
        if (testb) //输出高
        {
            DS18B20_DQ_OUT=0;// 主机输出低电平
            delay_us(2);                  //延时2us
            DS18B20_DQ_OUT=1;//释放总线
            delay_us(60); //延时60us            
        }
        else //输出低
        {
            DS18B20_DQ_OUT=0;//主机输出低电平
            delay_us(60);               //延时60us
            DS18B20_DQ_OUT=1;//释放总线
            delay_us(2);                  //延时2us        
        }
    }
}

4.读时序
典型的读时序过程为：主机输出低电平延时2us，然后主机转入输入模式延时12us，然后读取单总线当前的电平，然后延时50us。

读1位

//从DS18B20读取一个位
//返回值：1/0
u8 DS18B20_Read_Bit(void) 			 // read one bit
{
    u8 data;
    DS18B20_IO_OUT();//设置为输出
    DS18B20_DQ_OUT=0; //输出低电平2us
    delay_us(2);
    DS18B20_DQ_OUT=1; //拉高释放总线
   DS18B20_IO_IN();//设置为输入
   delay_us(12);//延时12us
   if(DS18B20_DQ_IN)data=1;//读取总线数据
    else data=0;	 
    delay_us(50);  //延时50us         
    return data;
}

读取1字节：
看出先读出的最终在最低位

//从DS18B20读取一个字节
//返回值：读到的数据
u8 DS18B20_Read_Byte(void)    // read one byte
{        
    u8 i,j,dat;
    dat=0;
   for (i=1;i<=8;i++) 
   {
        j=DS18B20_Read_Bit();
        dat=(j<<7)|(dat>>1);
    }						    
    return dat;
}

6.读温度时序
我们来看看DS18B20的典型温度读取过程，DS18B20的典型温度读取过程为：复位发SKIP ROM命令（0XCC）发开始转换命令（0X44）延时复位发送SKIP ROM命令（0XCC）发读存储器命令（0XBE）连续读出两个字节数据(即温度)结束。
可以看出先读放低位TL，后读高位
TH和TL定义的无符号数，虽然18b20内的数据为补码存储的有符号数，后续会做处理。
因TH无符号数，若TH大于7，说明前几位肯定为11111，温度为负数

在这里插入图片描述
说明：
1）short只是说明数据所占的位宽，并没规定是十进制还是十六进制
2）c语言可以给a赋值负数 a=-2,a有符号数，那么就以补码形式存储
3）18b20是补码形式存储，从高位开始第五位是符号位，从第六位开始是数值，那么如果温度是负数，那么低12位就是一个负数的补码形式，高5位均为1，直接整个16位取反加1就是负数的绝对值，也可以认为是负数的原码取正数，比如算出来-55度，全部取反加1就是算出来十进制正55度，那么对于最后这个数，就直接加个负号赋值给返回值就可以。如果取反没有加1可能是因为加1不加1对最后结果影响很小。
4）负数原码求补码和补码求原码都是符号位不动取反加1
对于正数，原码反码补码一样，负数反码和补码求解时都保持符号位不变
5）疑问：给有符号数赋值一个负数，如果负数以二进制表示，是赋值原码还是补码
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