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CMOS VLSI Design
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CORNELL ECE 4740 COURSE
CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective (4th Ed.), Addison-Wesley
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004 连线模型
连线模型原创 2021-05-18 11:17:52 · 296 阅读 · 0 评论 -
003 CMOS功耗分析
CMOS功耗分析:动态功耗+静态功耗原创 2021-05-14 10:36:52 · 927 阅读 · 1 评论 -
002 反相器的动态特性
反相器的动态特性原创 2021-05-14 08:24:59 · 1252 阅读 · 0 评论 -
001 二极管和MOSFET
摩尔定律集成电路上可以容纳的晶体管数目每18个月翻一倍时钟频率区域饱和功耗趋于饱和MOSFET阈值电压VT=VT0+γ(∣2ϕF+VSB∣−∣ϕF∣)V_T = V_{T_0}+\gamma(\sqrt{|2\phi_{F}+V_{SB}|}-\sqrt{|\phi_{F}|})VT=VT0+γ(∣2ϕF+VSB∣−∣ϕF∣)VT0:VSB=0时的经验值V_{T_0}:V_{SB}=0时的经验值VT0:VSB=0时的经验值γ:体效应系数,≈0.4V\gam原创 2021-05-12 10:33:08 · 321 阅读 · 0 评论 -
000 系列介绍
康奈尔大学电子与计算工程ECE 4740公开课https://sites.coecis.cornell.edu/eceocw/ece-4740-course-details/教程书籍N. H. E. Weste and D.M. Harris, CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective (4th Ed.), Addison-Wesley原创 2021-05-11 10:51:57 · 154 阅读 · 0 评论