003 CMOS功耗分析

功耗的主要来源

动态功耗:在大多数应用中占主导

  • 充放电电容
  • 短路电流:开关切换时在供电网络里的短路

静态功耗:随晶体管尺寸减小而上升

  • 漏电流:低功耗设计中备受关注

动态功耗

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降低动态功耗

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直接通路功耗

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I p e a k I_{peak} Ipeak依赖于

  • 晶体管尺寸
  • 工艺
  • 温度
降低直接通路功耗

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输入输出倾斜

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静态功耗

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温度
  • 漏电流随温度指数增加
  • 温度每上升~9K,漏电流翻一番
亚阈值电压

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降低功耗

  • 降低供应电压(主要目标):与功耗为二次关系,但可能增加亚阈值电流
  • 减少门数量和门活动:算法、架构、技巧
  • 减小物理电容(使用工具):布局布线、器件大小
  • 降低温度
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