SDRAM读写

仍然建立工程，在sopc builder里添加组件如图所示

 

其中SDRAM设置如下图所示

 CPU的reset和exception地址都选择SDRAM

由于SDRAM对时序的要求非常严格，所以它的时钟要有一定的相移来匹配其他的信号(如DRAM_CKE)经过nios所造成的延迟

在bdf文件中加入锁相环PLL，具体的相移参考芯片手册（话说我也没找到具体的相移是多少，只是看过书上别人都是按这么多相移来做的……）

 

 

 接着分配引脚，注意的是SDRAM的引脚在DE2给的手册里是按照DRAM_BA_0和DRAM_BA_1来的，而我们在nios设计里是按照DRAM_BA[1..0]来设计的，两者需要一致

同理，DRAM_UDQM和DRAM_LDQM。

 

在nios ide中编写代码。

 

 

主程序如下所示 

 

 

/* ---------------------------------------------------------------- 
* Include 
*---------------------------------------------------------------- */  
#include  < stdio.h >  
#include  " ../inc/sopc.h "  
#include  " system.h "  
#include  " string.h "  
#include  < unistd.h >
/* --------------------------------------------------------------- 
* Variable 
*--------------------------------------------------------------- */  
unsigned  short   *  ram  =  (unsigned  short   * )(SDRAM_BASE + 0x10000 );  // SDRAM地址，考虑到SDRAM存有其他内容，包括程序，所以偏移一定的地址，不固定
/*  
* === FUNCTION ======================================== 
* Name: main 
* Description: 函数主程序 
* ===================================================== 
*/  
int  main( void ) 
{
     int  i; 
    memset(ram, 0 , 100 ); 
     // 向ram中写数据，当ram写完以后，ram的地址已经变为(SDRAM_BASE+0x10100)
     
     for (i = 0 ;i < 100 ;i ++ ){
         * (ram ++ )  =  i;        
    }
    
     // 逆向读取ram中的数据
     for (i = 0 ;i < 100 ;i ++ ){
        printf( " %d\n " , * ( -- ram));
        usleep( 1000000 );
    }
    
     return   0 ;
}