SDRAM 介绍

FPGA的花路

于 2024-08-14 11:23:48 发布

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分类专栏：接口协议 # SDRAM 文章标签： fpga开发 SDRAM

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SDRAM 介绍

前言

本文通过镁光 SDRAM 芯片（型号：MT48LC16M8A2TG）手册来学习 SDRAM 的工作原理。

结构框图

在这里插入图片描述

引脚及定义

名称	类型（对于 SDRAM）	定义
CLK	Input	时钟
CKE	Input	CLK 时钟使能，高有效
CS#	Input	片选信号，低有效
CAS#,RAS#,WE#	Input	命令信号，同 CS# 组成不同操作命令
x4,x8: DQM ; x16: DQML,DQMH	Input	数据掩码，高有效
BA[1:0]	Input	bank 地址
A[11:0]	Input	① 激活命令时，A[11:0] 作为行地址；② 读/写命令时，A[9:0] 和 A[11] 作为列地址，A[10] 用来指示是否使能自动预充电（高电平有效）；③ 预充电命令时，A[10] 高电平表示对所有 bank 进行预充电，低电平表示只对 BA[1:0] 指示的 bank 进行预充电； ④ 加载模式寄存器命令时，A[11:0] 用来表示操作码
x16: DQ[15:0]; x8: DQ[7:0]; x4: DQ[3:0]	Inout	数据
V_DDQ	Supply	DQ 电源
V_SSQ	Supply	DQ 地
V_DD	Supply	芯片电源
V_SS	Supply	芯片地

命令

命令真值表

在这里插入图片描述

注释：

CKE 除了自刷新命令（SELF REFRESH) 为高电平，其余命令下均为低电平
A[11:0] 用于指示行地址，BA[0:1] 用于指示 bank 地址
读/写命令时，A[9:0] 和 A[11] 作为列地址，A[10] 用来指示是否使能自动预充电（高电平有效）
BURST TERMINATE 表示中断突发命令
预充电命令时，A[10] 高电平表示对所有 bank 进行预充电，低电平表示只对 BA[1:0] 指示的 bank 进行预充电
自动刷新（AUTOREFRESH）： CKE = 1；自刷新（SELF REFRESH）：CKE = 0
加载模式寄存器命令时，通过 A[11:0] 将操作码写入寄存器
写命令时，DQ 与 DQM 同时有效；读命令时，DQ 相对 DQM 延时 2 个时钟周期（即 DQM 需提前两个时钟周期）

① COMMAND INHIBIT

禁止执行新命令，不管 CLK 是否使能。但是正在进行的操作不会受影响

② NO OPERATION (NOP）

空闲命令，可防止在空闲或等待状态下使用不合规的命令

③ LOAD MODE REGISTER (LMR)

加载模式寄存器命令时，通过 A[11:0] 将操作码写入寄存器。此命令只能在所有bank闲置时发出，并且在 T_MRD 后才能进行其他操作。

④ ACTIVE

在读写操作之前，一般要进行激活操作，这是因为 SDRAM 的行列地址线是同一组地址线，分时复用，读写操作发送的是列地址，所以在此之前需要确定读写操作的行地址以及 bank，这就是激活操作，在告知 SDRAM 行地址之后，SDRAM 还需要 T_RCD 时间才能把该行激活，之后就可以对该行数据进行读写操作了。

激活命令时，通过 BA[1:0] 选择要访问的 bank，通过 A[11:0] 选择访问的行。在向 bank 发出预充电命令之前，该行将保持激活状态以供访问。

若要访问同一 bank 的其他行，必须先对该 bank 进行预充电，然后再激活待访问行，最后才能进行读写操作。

⑤ READ

读命令时，A[9:0] 和 A[11] 作为列地址，A[10] 用来指示是否使能自动预充电（高电平有效）。

当选择自动预充电时，正在访问的行将在读突发结束时自动进行预充电操作。未选择自动预充电时，该行将保持激活状态，后续仍可访问。

发送读指令后，SDRAM 会在 2~3 个时钟周期才会给出数据，这段时间称为潜伏期，具体时间可以通过模式寄存器设置。

DQ 的读取数据受两个时钟前（与潜伏期无关）的 DQM 状态影响，如图29所示。当 DQM 为高电平时，相应的 DQ 将在两个时钟后变为高阻态。当 DQM 为低电平时，DQ 将输出有效数据。

⑥ WRITE

写命令时，A[9:0] 和 A[11] 作为列地址，A[10] 用来指示是否使能自动预充电（高电平有效）。

当选择自动预充电时，正在访问的行将在写突发结束时自动进行预充电操作。未选择自动预充电时，该行将保持激活状态，后续仍可访问。

写入存储器时，DQ 和 DQM 同时作用，如下面时序图所示。当 DQM 低电平时，数据将写入存储器；当 DQM 为高电平时，将忽略相应的数据输入，且不会对该字节/列位置执行写入操作。

⑦ PRECHARGE

A[10] 高电平表示对所有 bank 进行预充电，低电平表示只对 BA[1:0] 指示的 bank 进行预充电。执行此命令后 T_RP 才能进行其他操作。

若某个 bank 执行了预充电命令，那么读写操作前必须先执行激活命令。

若要访问同一 bank 的其他行，必须先对该 bank 进行预充电，然后再激活待访问行，最后才能进行读写操作。

⑧ BURST TERMINATE

突发中断命令，用于中断固定长度或者连续页突发操作，可以通过此命令结合全页读写模式实现任意长度的读写操作。

⑨ AUTO REFRESH

DRAM 通过电容存储电荷，但是电容会放电，为了防止电容存储的电荷丢失，就需要在电容存储器还没有丢失的时候把它存储的数据读出来，再重新写进去，这样电容存储的电荷又可以保存一段时间，这个操作就被称为自刷新。

AUTO REFRESH 在 SDRAM 的正常运行期间使用，此命令是非永久性的，因此每次需要刷新时都必须发出该命令。

在发出 AUTO REFRESH 命令之前，必须对所有活动的 bank 进行预充电。AUTO REFRESH 命令在 PRECHARGE 命令后 T_RP 时间才能发出。寻址由内部刷新控制器生成。这使得地址在 AUTO REFRESH 命令期间为“Don’t Care”。无论器件接口位宽多少，128Mb SDRAM 每 64ms（商业级或工业级）或每 16 ms（车规级）需要 4096 次自动刷新周期。

自动刷新（AUTOREFRESH）： CKE = 1