SDRAM设计之读、写(三)
本篇来记录下,SDRAM的读、写过程,SDRAM(同步动态随机存取内存),所谓的“随机”,便是指我们每次读、写的地址可以是设计者指定的位置。SDRAM一般结构都会分为几个Bank,每个Bank中分成行、列式来管理,使用者可以指定将写入或者读出哪个Bank、哪一行、哪一列的数据。
以美光的一款SDRAM MT48LC16M16A2为例,这款芯片共有4个Bank,每个Bank分成8192行和512列,每个地址可以存储16bit的数据。
读、写的时序过程是非常相似的,先来看下写入的时序图:
上图是突发写入的一段时序,其实写入SDRAM有多种不同的模式,比如说可以单个单个地写入,也可以使用full page写入,也可以像上图那样突发写入几个数据,写入的数据个数是由我们初始化的时候设置的模式寄存器决定的。
上图中也有一个小细节,"Write-Without Auto Percharge "当然同时对应的就有"Write-With Auto Percharge ",不同之处呢就在于第一种需要我们在写操作流程的某个时间(具体时间各种款式的芯片不大一样)执行一次PRECHARGE命令,我一般习惯于在我要写的数据结束后,满足tWR的情况下,给出PRECHARGE命令,当然具体的程序编写,我会在后面的笔记中详细说明。