SDRAM设计之读、写（三）

SDRAM设计之读、写（三）

       本篇来记录下，SDRAM的读、写过程，SDRAM（同步动态随机存取内存），所谓的“随机”，便是指我们每次读、写的地址可以是设计者指定的位置。SDRAM一般结构都会分为几个Bank，每个Bank中分成行、列式来管理，使用者可以指定将写入或者读出哪个Bank、哪一行、哪一列的数据。
       以美光的一款SDRAM MT48LC16M16A2为例，这款芯片共有4个Bank，每个Bank分成8192行和512列，每个地址可以存储16bit的数据。
       读、写的时序过程是非常相似的，先来看下写入的时序图：

       上图是突发写入的一段时序，其实写入SDRAM有多种不同的模式，比如说可以单个单个地写入，也可以使用full page写入，也可以像上图那样突发写入几个数据，写入的数据个数是由我们初始化的时候设置的模式寄存器决定的。
       上图中也有一个小细节，"Write-Without Auto Percharge "当然同时对应的就有"Write-With Auto Percharge "，不同之处呢就在于第一种需要我们在写操作流程的某个时间（具体时间各种款式的芯片不大一样）执行一次PRECHARGE命令，我一般习惯于在我要写的数据结束后，满足tWR的情况下，给出PRECHARGE命令，当然具体的程序编写，我会在后面的笔记中详细说明。