SOI 晶体材料/砷化镓（GaAs）晶体材料/氧化锌（ZnO）晶体材料

SOI 晶体材料
描述：SOI是将一薄层硅置于绝缘衬底上。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。
外形尺寸 4英寸；6英寸；8英寸
电阻率 可选
顶层单晶厚度 0.22～50μm
埋氧层 0.4～4μm
基底层厚度 100～500μm

砷化镓（GaAs）晶体材料
掺杂：Si
导电类型：导电类型
生长方法：VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法)
晶向：(100) 0°±0.5°，(100) 2°±0.5°off toward <111>A，(100)15°±0.5°off toward <111>A
尺寸：25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm
表面粗糙度：Surface roughness(Ra):<=5A，可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光：单面或双面

氧化锌（ZnO）晶体材料
晶体结构 六方
晶格常数 a=3.252Å c=5.313 Å
密度 5.7（g/cm3）
硬度 4（mohs）
熔点 1975℃
热膨胀系数 6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c
热 容 0.125 cal /g.m
热电常数 1200 mv/k @ 300 ℃
热 导 0.006 cal/cm/k
透过范围 0.4-0.6 um > 50% at