当将含特定少量缺陷的单晶硅薄膜用作太阳能电池光生伏打层时，可以提高功率效率

在单晶硅衬底上，用扩散方法制得高p型掺杂的硅牺牲层，其上用RVD方法形成厚度为4 u m的单晶硅薄膜，然后用含有氢氟酸，硝酸和醋酸的混合溶液进行1分钟刻蚀。图19的扫描电子显微照片给出的是由单晶硅薄膜、高p型掺杂的硅牺牲层和单晶硅衬底组成的层状结构在进行了选择性刻蚀后的截面图。如图所示，只有牺牲层被选择性刻蚀了。如上所述，当采用RVD方法时，可以形成单晶硅薄膜，而牺牲层结构不退化，而且，通过牺牲层的选择性刻蚀，可以容易的将单晶硅薄膜和单晶硅衬底彼此分离。
由此，当将如上RVD方法和上述ELO方法结合时，单晶硅薄膜的剥离可以良好进行，而且，还可以得到单晶硅薄膜以及由其制得的单晶硅薄膜太阳能电池。
也就是说，在ELO方法中用到的掺杂硅牺牲层中所含掺杂剂的扩散受到抑制，单晶硅薄膜的剥离可以良好地进行。
另外，由于RVD方法还能有效抑制具有晶体缺陷的牺牲层中缺陷的消除，通过采用RVD方法，可以抑制具有晶体缺陷的牺牲层中缺陷的消除，由此，单晶硅膜的剥离可以良好地进行。
此外，通过形成上述结构，当将含特定少量缺陷的单晶硅薄膜用作太阳能电池光生伏打层时，可以提高功率效率。
通过上述方法，可以得到含少量缺陷的单晶硅薄膜，或者含少量缺陷并被支撑在支撑基底材料上的单晶硅薄膜，然后可用于单晶薄膜器件中。例如，上述单晶硅薄膜可以用作太阳能电池光生伏打层，或者用于SOI半导体器件中。
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