用于薄膜太阳能电池的玻璃上大晶粒多晶硅

引言

我们已经使用“种子层概念”在薄膜太阳能电池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，该概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(种子层)的外延增厚。由于玻璃衬底，所有工艺步骤都被限制在大约600℃的温度。基于非晶硅的铝诱导结晶(AIC)的铝诱导层交换(ALILE)工艺已被用于制备具有大晶粒和表面高优先(100)取向的p+型籽晶层。

种子层形成

我们描述了由铝诱导层交换(ALILE)工艺形成的种子层。该工艺基于铝诱导的无定形硅结晶(AIC)。ALILE工艺的起点是玻璃/铝/铝-硅叠层。在我们的方法中，我们使用了清洁的玻璃基板，两层(铝和α-硅)已经通过直流磁控溅射沉积在同一室中。ALILE工艺要求在铝和非晶硅层之间有一层薄的渗透膜，以控制铝和硅的扩散。

通常，该膜由铝硅沉积前铝涂层玻璃基底暴露于空气中形成的氧化铝层组成。我们的标准氧化时间是2小时。铝和非晶硅的沉积薄膜厚度分别约为300纳米和375纳米。硅相对于铝的过量是在玻璃衬底上制备连续多晶硅薄膜所必需的。在低于铝/硅体系共晶温度(Teu = 577)的温度下，初始玻璃/铝/铝-硅叠层的退火导致层交换和硅的同时结晶，产生玻璃/多晶硅/铝(+硅)叠层(图1)。在整个ALILE过程中，膜保持在原位(由图1中的灰色线表示)。因此，所得多晶硅膜(种子层)的厚度由初始铝层的厚度决定。种子层顶部的铝层含有一些硅夹杂物(“硅岛”)。

图1 “正常”铝诱导层交换(ALILE)工艺示意图

LILE过程始于硅穿过渗透膜扩散到铝层。这导致铝层