砷化镓（GaAs）单晶介绍-二碲化铂晶体 PtTe2/TlGaTe2 碲化镓铊晶体

砷化镓（GaAs）

主要性能参数
单晶 掺杂 导电类型 载流子浓度cm-3 位错密度cm-2 生长方法 标准基片（mm）
GaAs Si N >5×1017 <5×105 VGF(垂直梯度凝固法)
HB(垂直布里奇曼法) Dia2″×0.35
Dia100×0.35
晶向 (100) 0°±0.5°
(100) 2°±0.5°off toward <111>A
(100)15°±0.5°off toward <111>A
尺寸（mm） 25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm
可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的衬底
表面粗糙度 Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜（AFM）检测报告
抛光 单面或双面
供应产品目录：
ZrTe2 二碲化锆晶体 ZrTe2 crystals
2H-MoTe2 2H-二碲化钼晶体 (Molybdenum Ditelluride) (Molybdenum Ditelluride)
GaTe 碲化镓晶体 (Gallium Telluride) (Gallium Telluride)
CoTe2 碲化钴晶体 (Cobalt ditelluride) (Cobalt ditelluride)
FeTe 碲化铁晶体 (Iron Telluride)
TlGaTe2 碲化镓铊晶体 TlGaTe2 Crystals
PtTe2 二碲化铂晶体 (Platinum Ditelluride)
CuFeTe Crystals 碲化铁铜晶体 CuFeTe Crystals
SnTe2 二碲化锡晶体 (Tin ditelluride)
Bi2Se1.5Te1.5 碲化硒铋晶体 (Bismuth Selenide Telluride)
Bi2Te3 碲化铋晶体 (Bismuth Telluride)
二碲化三铁（锗掺杂）晶体 Fe3GeTe2（99.995%） Fe3GeTe2 crystals
二碲化铂晶体 PtTe2 (Platina Ditelluride)
二碲化钯晶体 PdTe2 (Palladium Ditelluride)
二碲化钼晶体（99.995%） 2H-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)
碲化锆 ZrTe3 (Zirconium Tritelluride)
碲化锡 Sb2Te3 (Antimony Telluride)
二碲化钽 TaTe2 (Tantalum Ditelluride)
碲化砷 As2Te3 (Arsenicum Telluride)
二碲化钨晶体（99.995%） WTe2(Tungsten Ditelluride)
二碲化钛晶体（99.995%） TiTe2(Titanium Ditelluride)
二碲化铌晶体（99.995%） NbTe2(Niobium Selenide)
二碲化钼晶体（99.995%） 1T-MoTe2(Molybdenum Ditelluride)
二碲化铪晶体（99.995%） HfTe2(Hafnium Telluride)
碲化铋晶体（99.995%） Bi2Te3(Bismuth Telluride)
yyp2021.6.24