NOR flash 坏块处理方法

简述

最近在处理FLASH的链表动态存储，同事提出flash中的坏块需处理，在此标记学习。

笔记

在NOR flash中，存储单元是互相并联的，每个存储单元的字线、源线分别相连。而在NAND flash中，存储单元是互相串联的，每个存储单元的字线、源线首尾相接。

可靠性比较。闪存的可靠性通常可以分为使用寿命、坏块处理两个方面。闪存的使用寿命，指的是闪存中每个单元块进行重复编程和檫除的最大次数。当超出规定的最大次数，闪存就可能工作异常。通常NOR flash的最大檫写次数是十万次，而NAND flash是一百万次。闪存内的坏块处理，是指生产出的闪存并不是完美的，总会有某些比特或者某些区域不可使用，这时候就要对闪存进行坏块处理。针对个别比特的失效，一般通过冗余比特替换或者错误检查和纠正的方法来进行纠正。冗余比特替换，是指在芯片设计时，每组存储单元会有若干个冗余比特，当该组存储单元存在失效的比特，就可以用冗余比特加以替换。冗余比特替换的方法常用于NOR flash中。错误检查和纠正（ECC），是指芯片中每组存储单元会有若干个比特用做数据的校验，当该组存储单元存在失效的比特则通过相应的数据校验算法，还原中真实的数据。错误检查和纠正的方法常用于NAND flash中。当失效的比特很多且连续时，失效的比特所在的区域会被认识是集体失效。在NOR flash中，失效的区域通常也会被冗余的存储单元块替换掉，而在NAND flash中，失效的区域会被标记为不可用。这是因为在应用中，NOR flash通常被认为是完美的，不允许出失效，而对于NAND flash来说，一点比例的失效是不可以接受的。

应用中比较。在应用中，NOR flash由于功能丰富，不需要其他的软件支持，就可以被系统直接寻址，并在内部直接运行操作代码。而NAND flash的功能相对简单，通常需要搭配相应的控制芯片和驱动程序，才能对其进行操作。

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参考：
http://blog.csdn.net/linweig/article/details/5030724
http://blog.csdn.net/xiaofei0859/article/details/49869585