磁珠的选型
5.2.1 信号线上使用
1、干扰噪声的频率或频段,要在磁珠的阻性区,而不是感性区或容性区。
2、考虑有用信号在磁珠阻抗-频率曲线上的阻抗值Z,过大的话,会导致有用信号幅度过低。
3、辐射上滤波某个频点的话,可选用尖峰型的磁珠。
5.2.2 电源线上使用
1、要考虑线路上的工作电流值,直流偏置下的阻抗-频率曲线有变化,额定电流50%时,阻抗值下降了90%。
磁珠是通过阻性的发热来消耗干扰噪声的,如长时间在强干扰下,磁珠有可能过热烧毁。
2、要考虑线路上的峰值电流和磁珠的DCR值,过大的峰值电流和磁珠DCR,会导致磁珠上的压降过大,导致电压跌落。
3、尽量选在电源上使用的磁珠,其电流大、阻抗-频率曲线比较平缓。
4、电源线上使用磁珠,需要增加去耦电容。(磁珠的感性区会抑制线路上的电流)
5.2.3 选型例子
例子1:某产品某IC上的电源3.3V使用磁珠隔离,额定电流200mA,某IC的最低电源不低于3.0V。
1、额定电流大于300以上,至少1/3降额以上。
2、DCR值:3.3V-3.0V=0.3V,0.3V/200mA=1.5欧姆,1/2降额计算,取DCR<0.75欧姆的。
3、根据实际需求,选阻抗大的,曲线平缓的。
例子2:实际电路的工作电流1A,采用1.5A的磁珠,符合正常要求。但是,在上电瞬间流过该磁珠的电流有3A,那就可能出现过热或磁饱和,在磁珠上产生很大压降,导致后面电路异常,甚至磁珠烧毁。
1、在电源线路上使用,要考虑DCR的值,避免压降过大,也要考虑线路峰值电流是否会超过磁珠的额定电流。
2、考虑直流偏置引起的磁珠阻抗降低,尽量选用电源型的磁珠(随着偏置电流的增大,磁性材料会出现饱和的特性,导致L降低,从而导致工作区域的偏移,会影响到干扰噪声的抑制效果)
例子3:在辐射摸底测试时,网口PHY的25MHz时钟倍频出现辐射超标,频率是125MHz,250MHz等。在25MHz信号线上串磁珠。
1、磁珠的阻性区在125MHz左右(125MHz不要处于磁珠的感性区和容性区)
2、25MHz是有用信号,磁珠的低频阻抗尽量低。
3、要实际测试有用信号经过磁珠的信号幅度及波形,磁珠上的感性和寄生电容会发生谐振的,导致幅度或波形异常。(过冲或幅度偏低)
4、配合对地电容,测试效果比较好。磁珠和电容容值要计算适合,最重要实际测试波形。
6、磁珠的用例
例子1:简单地说,就是有个数字模块的地与主系统的地通过磁珠连接。在测试ESD时,设备就复位重启。拆掉磁珠,直接短接,测试ESD pass。
静电重在疏而不是堵。
例子2:某款蓝牙音箱,对外露的USB端口进行接触放电,音箱断电断电无法进行工作。因为USB的金属外壳是与系统地直接连接的,把系统地完整性弄好和电源加TVS管,有改善但没解决。因此,直接在USB金属壳与系统地直接串了磁珠,静电测试通过。
这个案子是直接采用堵的方法。由于板子的layout和结构不一样,采用疏或堵要具体考虑。
例子3:某工业产品的售后机器上,经分析串在电源输入上的磁珠烧毁。产品的电电源是24V 0.3A,选的磁珠是1A的,单从规格降额上看没有问题。在现场测试电源端口的信号,有幅值很高的连续脉冲干扰。
该磁珠长时间处于高幅值干扰下,会发热,散热不好的话,磁珠会不断升温,导致烧毁。
该磁珠主要用来滤除高频干扰,解决方法是把磁珠改为共模电感(电源和地接法)。
例子4:某控制系统产品在现场测试遇到干扰死机。采用模拟干扰信号的方法来分析,用电压脉冲模拟干扰信号,直接加在温度探头上,会一定概率导致死机,把温度采集模块的模拟地与数字地之间的磁珠换成0R电阻,不会出现死机现象。
由于磁珠的感性,加上脉冲时相当于储能,撤掉脉冲时,会产生反向电动势,导致数字地太高,因此使得系统死机。
数字地和模拟地之间尽量不采用磁珠隔离。
有个帖子:进入同一个单片机的不同地线之间不得有磁珠或电感。原因很简单,高幅度的高频噪声可造成地平面间有较高幅值的高频交流电,单片机内部压差很可能超过极限,在高可靠性产品(军用以及航空)中是非常危险的。
7、磁珠的失效
磁珠失效分析主要是机械应力和热应力:
1、外力或机械应力会导致磁珠一体化Crack或破损,导致开路。
2、过流会直接导致磁珠烧毁开路。
3、磁珠一致性不好,参数达不到规格要求,导致过流或过热后烧毁。