【模拟】 夹断（pinch-off）现象

Jaeger 4th Chapter 4 Field-Effect Transistors P155

The channel region has disappeared, or pinched off, before reaching the drain end of the channel,
and the resistive channel region is no longer in contact with the drain

当MOSFET的漏-源电压 $v_{DS}$ 增大到超过饱和电压 $v_{DSAT}=v_{GS}-V_{TN}$ 时，会出现通道区域“消失”或被 夹断（pinch-off） 的现象。这种现象的原因可以归纳如下：

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1. 通道的形成与反型层

• 在MOSFET中，栅源电压 $v_{GS}$ 超过阈值电压 $V_{TN}$ 后，会在源极和漏极之间的半导体中形成一个反型层（通道），使电子能够在源极和漏极之间流动。
• 通道电势沿着通道从源端 $v(x=0)=0$ 到漏端 $v(x=L)=v_{DS}$ 增加。

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2. 夹断的发生

• 当 $v_{DS}=v_{DSAT}=v_{GS}-V_{TN}$ 时，漏端的通道电势达到阈值电压，即 $v_{GS}-v(L)=V_{TN}$。此时，通道中的反型层刚好在靠近漏端处消失。
• 如果 $v_{DS}>v_{DSAT}$，由于漏极电势继续升高，漏端区域的反型层被完全耗尽，形成了一个耗尽区。

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3. 耗尽区的扩展

• 随着 $v_{DS}$ 增加，耗尽区从漏端向源端扩展，覆盖了原本存在反型层的区域。
• 在耗尽区内，几乎没有可供导电的自由电子，通道区域实际上“消失”或“断开”了。

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4. 通道区域不再接触漏极

• 在夹断状态下，通道的反型层在靠近漏极的部分已经完全被耗尽，因此导电的通道不再延伸到漏极。
• 此时，源极与漏极之间的电流是通过耗尽区中电子的 漂移（drift） 机制来传输的，而不是通过反型层的 电导（conduction）。

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5. 电流饱和现象

• 在夹断后，增加 $v_{DS}$ 不会显著增加通道中的载流子数量，因为漏端的反型层已经耗尽。
• 电流饱和的原因是：电流主要由源端到夹断点之间的电压决定，而耗尽区的长度与 $v_{DS}$ 增大有关，但对电流的直接影响有限。

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6. 物理意义

• 在夹断状态下，MOSFET的通道区域主要由反型层和耗尽区组成。夹断点之前的区域是具有反型层的“导电通道”，而夹断点之后是由耗尽电场控制的区域。
• 由于耗尽区与漏极直接相连，通道的“导电性”仅限于夹断点之前，因此通道与漏极实际上“断开”。

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总结

当漏-源电压 $v_{DS}$ 增大超过 $v_{DSAT}$ 时，靠近漏极的通道区域由于反型层的耗尽而消失，形成一个耗尽区。此时，导电通道不再直接接触漏极，MOSFET的工作机制从导电通道主导转变为漂移机制。这种现象是MOSFET进入饱和区的关键标志，并导致漏极电流饱和的行为。