三级管的饱和区和MOS管的饱和区

最新推荐文章于 2024-03-22 16:23:08 发布
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分类专栏： 硬件
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本文探讨了三级管（BJT）和MOS管在饱和区的工作特性。在饱和区，MOS管的漏电流iDs不再随栅源电压Vds的增加而增加，而三级管的集电极电流iC也不再随基极电流iB的增加而增加。通常，MOS管的阈值电压VT为1V。此外，文章还简述了N-MOS和P-MOS管在高电平和低电平时的导通与断开状态。
摘要由CSDN通过智能技术生成

三级管的饱和区和MOS管的饱和区


mos：iDs不随Vds增加而增加；

bjt:iC不随iB的增加而增加；






典型VT=1V;



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mos管的米勒效应
12-19
### MOS管的米勒效应详解 #### 一、引言 在电力电子技术领域，MOS场效应晶体管(MOSFET)作为一种重要的功率开关器件，广泛应用于各种电子设备中。MOSFET的工作特性直接影响着整个系统的性能，其中米勒效应是影响...
MOSFET放大电路的多种状态分析
yoursbai的博客
09-16 1万+
MOSFET一.首先我们要明确一下我们研究MOSFET特性所以采用的典型电路。二.先让MOSFET工作起来。三.分析MOSFET未饱和和饱和状态下的G级电压。MOSFET未饱和状态。 近日跟着麻省理工的公开课 麻省理工公开课：电路与电子学，学习了一些电路基础，但看到MOSFET多种状态分析时感到比较难理解，反复多次观看视频之后，终于感觉搞懂了MOSFET的多种状态。 所以来这和一样对MOSFET多种状态搞不清的朋友分享一下。 一.首先我们要明确一下我们研究MOSFET特性所以采用的典型电路。 如图所示MOS
MOS管相关知识
azj2019的博客
05-15 2万+
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MOS管快速入门到精通
a1809032425的博客
10-16 1221
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。这里顺便提一下三极管的管脚识别：同样按照上图方向摆正，中间一脚为C，左边为B，右边为E。S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。
MOS管、BJT 饱和区 不同
weixin_42151788的博客
01-10 1万+
1、深刻理解并记住工作在开关状态下，两种器件工作在何种工作区？ 三极管：从左到右 依次为 饱和、放大、截至 开关状态下是工作在截至与饱和区之间 MOS：从左到右 依次为可变电阻（非饱和区、完全导通区）、饱和（横流区、放大区、有源区、线性区）、截至 开关状态下是工作在截至和可变电阻区 备注：只能说名字起的跟个shit一样 乱起八糟。。。。 2、三极管的饱和区与MOS管饱和区有什么不同？饱和是指什么？ 对BJT来说，饱和指的是载流子浓度，处于饱和区时，BJT的EB结和CB结...
NMOS和PMOS管工作状态判断
最新发布
ltn1048467084的博客
03-22 1238
拉扎维老师的第二版书里对于PMOS的讲解一笔带过，在做习题的时候仍然有许多不解的地方。，虽然漏极电流的公式体现不出来电流的方向，但我们需要理解的是：NMOS和PMOS导电的载流子不一样，NMOS是电子作为载流子，PMOS是空穴作为载流子。对于PMOS，Vgs、Vds和Vth均小于0。线性区：|Vgs|>|Vth|，|Vds|<|Vgs|-|Vth|；线性区：Vgs>Vth，Vds<Vgs-Vth；饱和区：|Vds|>|Vgs|-|Vth|饱和区：Vds>Vgs-Vth。截止区：|Vgs|<|Vth|；
对速度饱和效应的一些理解
qq_50968231的博客
08-13 1万+
在半导体器件中，载流子在外加电压时，受到电场力的作用而定向移动，形成漂移电流，载流子的平均漂移速度𝒗与电场强度E成正比，比率就是载流子迁移率μ，即𝒗＝uE。载流子漂移速度不是无限大的，当外加电场足够大时，载流子漂移速度将达到散射极限速度𝒗scl（Limiting scattering velocity），将使得漂移电流达到饱和。...
电源技术中的集成电路中的MOS晶体管模型
12-09
萨氏方程可以用来分析MOSFET在非饱和区和饱和区的行为，为电路设计者提供电流随电压变化的理论基础。 在非饱和区，漏源电流与漏源电压呈抛物线关系，当VDS接近于零时，这种关系近似线性。当MOSFET进入饱和区，由于...
实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence
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曲线分为三个区域：截止区（Vds ）、饱和区（Vds > Vdsat）和线性区（Vth ）。这有助于理解MOS管在不同工作状态下的电压传输特性。 2. 工作点的确定：为了确保信号的有效放大和无失真，需要设置合适的工作点Q。过高...
工艺参数对硅平面工艺制造MOS管性能的影响.docx
02-22
2. MOS2模型，二级平方率模型，考虑了更多的物理参数，如饱和速度、迁移率衰减和漏极诱导势垒降低(DIBL)等。MOS2模型针对短沟道效应进行了一定修正，但对亚微米尺度的MOS器件，其准确度仍然不足，因为它未充分考虑更...
大功率晶体管驱动电路的设计及其应用
10-23
自适应输出电路通过三级管、二极管和电容器等元件提高开关速度并产生自适应的反偏压驱动波形。 基极驱动电路的工作原理涉及到逻辑控制电路与驱动电路的信号交互，以及驱动电路内部各组件的协同工作。例如，输入信号...
三极管-三极管仿真与参数设置：与bipolar管
Carol0630的博客
05-09 1711
三 region中0代表截止区； 1代表线性区； 2代表饱和区； 3代表亚阈值区。。 You can map the 5 regions as follow: 0 cut-off 1 triode 2 saturation 3 subthreshold 4 breakdown
三级管的三种工作状态
qq_43709494的博客
09-05 4068
三极管是电子电路中的一个重要电子器件。通常会用在开关和放大电路。 说起三极管，首先我们需要了解它的基本特性，其中最先要了解的就是它的三种状态，也就是截止状态，放大状态和饱和状态。（以下以NPN型三极管为例） 截止状态 当发射结的电压小于PN结的导通电压时，基极电流为零，流过集电极和发射极的电流为零，三极管不具有放大信号的作用，这时候集电极和发射极之间处于断路状态，这个状态就成为三级管的截止状态。 三极管用作开关时，处于断开状态，就是工作在截止状态。三极管的外形和工作区域如下图所示。 放大状态 当发射结的
数字集成：MOS管速度饱和的理解（V0.0）
光年之外
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右键上拉回来：1、写在前面的话2、简化版专业解释3、个人寻找的理解 1、写在前面的话 主要讲下MOS器件的速度饱和，第一次接触这个概念，网上的文章很少，找了好几篇看，记录下。原文学习可参考数字集成电路（第二版），里面62、63页有专业的解释。这里提取简明扼要的东西。 2、简化版专业解释 一般而言，载流子速度正比于电场，斜率是载流子的迁移率；可当延沟道电场达到临界值（某个根据散射效应计算的值）时...
MOS管三个工作状态
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qq_41901547的博客
11-15 5万+
MOS管三个工作状态 标题 欢迎使用Markdown编辑器 你好！ 这是你第一次使用 Markdown编辑器 所展示的欢迎页。如果你想学习如何使用Markdown编辑器, 可以仔细阅读这篇文章，了解一下Markdown的基本语法知识。 新的改变 我们对Markdown编辑器进行了一些功能拓展与语法支持，除了标准的Markdown编辑器功能，我们增加了如下几点新功能，帮助你用它写博客： 全新的界面...
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Chauncey_wu的博客
09-13 4479
一.导电沟道机理：如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型                         如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。 CMOS反相器是由N沟道和P沟道增强型MOS管组成； 二.为什么N沟道增强型MOS管的存在饱和区？？ 首先明白N沟道增强型MOS管的结构：N管一定是P型衬底，（P管一定是N型衬底，P型衬底的的载流子是电子），在P型衬底上用扩散法制作两个...
如何正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区
linuxheik的专栏
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作为电子初学者来说，模拟电路非常重要,模拟电路的三极管的应用是重中之重,能正确理解三极管的放大区、饱和区、截止区是理解三极管的标志。 很多初学者都会认为三极管是两个 PN 结的简单凑合，如下图： 这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管，我们以 NPN 型三极管为例，如下图： 两个 PN 结共用了一个 P 区（也称基区），基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两
MOS管(场效应管)导通条件
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场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。 但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。 开关只有两种状态通和断，三极管和场效应管工作有三种状态，1、截...
理解场效应管的可变电阻区、饱和区、截止区
ydgd118的博客
08-10 2万+
场效应管饱和区、截止区、可变电阻区 场管饱和区就是放大区，输出电流只受控于VGS，只要维持VGS不变，则输出电流恒定（不考虑热漂移等影响）。因此可以制作压控恒流源，或者恒流LED驱动。此时电流与VGS的平方有线性关系。此点一定不要和三极管的饱和区混淆。三极管的饱和区是基极电流增大但是IC电流已经不能再大了，此时进入饱和区。饱和后，三极管的管压降约为0.3V。也就是说，外界电源能量已经99.9%压到了负载上了，没有多余的能量供Ib压榨了。现象就是Ib再增大，Ic不变了。三极管呈现饱和导通状态，可以当开关使用。
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