MOSFET放大电路的多种状态分析

近日跟着麻省理工的公开课 麻省理工公开课：电路与电子学（文末有链接），学习了一些电路基础，但看到MOSFET多种状态分析时感到比较难理解，反复多次观看视频之后，终于感觉搞懂了MOSFET的多种状态。
所以来这和一样对MOSFET多种状态搞不清的朋友分享一下。
在这篇文章的说明中会大量用到 麻省理工公开课：电路与电子学中文课件中的图片说明，如有侵权请联系我。

一.首先我们要明确一下我们研究MOSFET特性所以采用的典型电路

如图所示MOSFET有三个极，分别是栅极G、漏极D、源极S。RL作为载流电阻，V0_out一直等效于Vds。G_in为栅极的输入（在之后的说明中用V1替代）。

二.先让MOSFET工作起来。

首先我们要先引进一个概念就是MOSFET的截止电压，当MOSFET的Vgs达到一定的的程度，也就是达到MOSFET器件的截至电压时（一般称这个电压为Vt）,MOSFET的D极以及S极就会呈现导通的状态，这是我们研究饱和未饱和状态的基础。当Vgs>=Vt时，D极和S极导通可以看做电阻极小的开路，所以可以认为电源达到了额定的输出电流。当MOSFET达到和未到达截止电压时输出是这样的。