MOS管之高端驱动与低端驱动实际应用

最新推荐文章于 2023-02-21 12:11:58 发布
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分类专栏： 硬件
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本文详细探讨了SI2301P-MOS与SI2302N-MOS在高端与低端驱动的实际应用，通过对比其参数特性，深入分析了它们在不同驱动场景中的优势与限制。

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MOS管之高端驱动与低端驱动实际应用


测试目标：SI2301 P-MOS  SI2302 N-MOS

 

SI2301参数是VGS，不是VGD,S连接至高端，因此可以应用到高端驱动；


SI2302参数是VGS，不是VGD，S连接至低端，因此可以应用到低端驱动；




超详细图文版解析：MOSFET的驱动技术-KIA MOS管
树卡花
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nmos高端驱动自举电路
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低端驱动：MOS管相对于负载在电势的低端，其中D通过负载接电源，S直接接地。对于NMOS，只有当Vgs大于开启电压时，MOS管才能导通。所以当未导通时，S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压，则DS导通，S确定为地电位，此时仍可以保证Vgs大于开启电压，保持DS导通。
MOS管之高端驱动与低端驱动
记录人生
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MOS管之高端驱动与低端驱动 有个项目需要对一个模块的电源进行控制，最初选择NMOS，系统使用3.3V，模块使用的也是3.3V，上电发现NMOS的S端输出只有2.6V，研究发现这种高端驱动应该使用PMOS； 以下内容转自：http://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855 一直以为PMOS是Vgs>Vt就导通，原来
高端驱动与低端驱动
Wang_yf_的博客
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Mos管开关电路MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。 P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMO
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PMOS开关管的选择与电路设计
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首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
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