MOSFET的简单模型
MOSFET的一些主要参数
耐压:通常所说的VDS,或者说是击穿电压。那么一般MOS厂家是如何来定义这个参数的呢?
上面这个例子显示,当驱动电压为0,Vds达到200V的时候,Id这个电流达到了250uA,这个时候认为已经达到击穿电压。
不同的厂家对此定义略有不同,但是基本上来说,当电压超过击穿电压,MOS的漏电流就会急剧上升。
导通电阻:
MOSFET在导通之后,其特性可以近似认为是一个电阻
上面这个例子表示,在驱动电压为10V的时候,导通电阻为0.18欧姆
导通电阻的温度关系:
MOS的导通电阻随温度上升而上升,下图显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时候,为20度时候的2倍。</