超详细图文版解析：MOSFET的驱动技术-KIA MOS管

最新推荐文章于 2024-05-06 10:40:15 发布
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分类专栏： 关于MOS管详解 MOS管
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MOSFET的简单模型

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MOSFET的一些主要参数
耐压：通常所说的VDS，或者说是击穿电压。那么一般MOS厂家是如何来定义这个参数的呢？

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上面这个例子显示，当驱动电压为0，Vds达到200V的时候，Id这个电流达到了250uA，这个时候认为已经达到击穿电压。

不同的厂家对此定义略有不同，但是基本上来说，当电压超过击穿电压，MOS的漏电流就会急剧上升。

导通电阻：

MOSFET在导通之后，其特性可以近似认为是一个电阻

在这里插入图片描述

上面这个例子表示，在驱动电压为10V的时候，导通电阻为0.18欧姆

导通电阻的温度关系：
MOS的导通电阻随温度上升而上升，下图显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时候，为20度时候的2倍。

在这里插入图片描述

导通阀值电压：就是当驱动电压到达该值之后，可认为MOS已经开通。

在这里插入图片描述

上面这个例子，可以看到当Vgs达到2-4V的时候，MOS电流就上升到250uA。这时候可认为MOS已经开始开通。

驱动电

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