本文详细介绍了MOSFET的工作原理，包括耐压、导通电阻、导通阀值电压、驱动电压与电流的关系以及寄生电容的影响。重点讨论了MOSFET的驱动技术，如米勒电容、低端和高端驱动、自举驱动、变压器隔离驱动等，同时提到了驱动电路设计中的关键问题和解决方案，如隔直电容带来的挑战及应对策略。
MOSFET的简单模型
MOSFET的一些主要参数
耐压：通常所说的VDS，或者说是击穿电压。那么一般MOS厂家是如何来定义这个参数的呢？
上面这个例子显示，当驱动电压为0，Vds达到200V的时候，Id这个电流达到了250uA，这个时候认为已经达到击穿电压。
不同的厂家对此定义略有不同，但是基本上来说，当电压超过击穿电压，MOS的漏电流就会急剧上升。
导通电阻：
MOSFET在导通之后，其特性可以近似认为是一个电阻
上面这个例子表示，在驱动电压为10V的时候，导通电阻为0.18欧姆
导通电阻的温度关系：
MOS的导通电阻随温度上升而上升，下图显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时候，为20度时候的2倍。</
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