MOS管基础知识

参考： 记得诚电子设计

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0. 概述

0.1 MOS管的分类

场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型，JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，应用广泛，MOSFET一般称MOS管。

MOSFET有增强型（EMOS，即Enhancement MOS）和耗尽型（DMOS，即Depletion MOS）两大类，增强型和耗尽型每一类下面都有NMOS和PMOS。

一般主板上使用最多的是增强型的MOS管，NMOS最多，一般用在信号控制方面；其次是PMOS，PMOS用在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。

0.2 增强型中NMOS与PMOS的区分

箭头指向G极的为NMOS；箭头背向G极的为PMOS。
也可以这样想，把箭头看成是二极管，箭头的指向就是二极管的由P指向N的方向，这样的话，箭头的头部就是N，箭头的尾部就是P。
以左图为例，箭头的头部在沟道上，因此这个MOS管为N沟道；以右图为例，箭头的尾部在沟道上，因此这个MOS管为P沟道。

下图为N沟道和P沟道MOS管的结构图。

0.3 工作原理

增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流ID=0。

此时若在栅-源极间加上正向电压，即VGS>0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT(一般约为 2V)时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。

控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。

0.4 特性

MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：

• MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。
• MOS管的输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。

0.5 寄生二极管

由于生产工艺，一般的MOS管会有一个寄生二极管，寄生二极管有的也叫体二极管，也叫续流二极管。在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

在驱动感性负载(如电机、线圈等)时，当驱动电压突然断开，负载会产生很大的反电动势，因此为了防止电动机产生的反电动势烧坏开关器件，比如选用带有体二极管的MOS管，体二极管可以吸收电动机产生的反电动势。这时如果MOS管没有体二极管的话，反向电流会将MOS管反向击穿，烧坏器件。

NMOS寄生二极管方向由S极→D极，PMOS的寄生二极管方向由D极→S极。

寄生二极管和普通二极管一样，正接会导通，反接会截止。所以对于NMOS，当S极接正，D极接负，寄生二极管会导通，反之，截止；对于PMOS管，当D极接正，S极接负，寄生二极管导通，反之，截止。

某些应用场合，也会选择走寄生二极管，以增大DS之间的压降（寄生二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注寄生二极管的过电流能力。

当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，因为MOS管的导通内阻极小，一般mΩ级别，1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。

1. MOS管的导通条件

MOS管是压控型，导通由G和S极之间压差决定。

对于NMOS，当Vg-Vs>Vgs(th)时，MOS管导通，即G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，但是也不能大太多，Vgs(th)和其他参数需要看MOS管的SPEC。

对于PMOS，和NMOS管是相反的，当Vs-Vg>vsg(th)时，PMOS管导通，即S极和G极的差大于一定值，MOS管会导通，但是也不能大太多，同样的，具体参数看SPEC。

2. 基本开关电路

NMOS管一般用在信号控制上。

当GPIO_CTRL电压小于MOS管开启电压时，MOS管截止，OUT通过R1上拉到5V，OUT=5V。

当GPIO_CTRL电压大于MOS管开启电压时，MOS管导通，D极电压等于S极电压，OUT=0V；

PMOS管常用在电源开关上。

当GPIO_CRTL=0V，S和G极压差大于MOS管开启电压时，MOS管导通，5V_VOUT=5V_VIN；

3. 与三极管(BJT)的区别

三极管是电流控制(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流)，MOS管是电压控制(通过栅极电压控制源漏间导通电阻)，主要有如下的区别：

• 只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。

• MOS管是单极性器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。

• 有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。

• MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。

• MOS管输入阻抗大，低噪声，MOS管较贵，三极管的损耗大。

• MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关控制。

• 三极管便宜，常用在数字电路开关控制；mos管贵，常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

• MOS管不仅可以做开关电路，也可以做模拟放大，因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。

• MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。

• 三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

• MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

• 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。