01_LNA设计_原理性问答1

最新推荐文章于 2024-01-26 11:58:59 发布

yesoili

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分类专栏：射频ADS电路设计文章标签： ADS PDK LNA 射频设计

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1.电感的不同种类？各自的作用和应用场合是？

2.电容的不同种类？各自的用途和作用？

3.电阻的不同种类？各自的用途？

4.为何需要匹配？匹配的原理是？

5.噪声匹配的原理？为什么要考虑噪声匹配？

6.什么是功率增益？有几种功率增益？分别起什么作用？为何提出？

7.什么是增益平坦度？

8.为何噪声最小的阻抗点，并不是驻波最小的阻抗点？

9.稳定性的类别？什么是绝对稳定条件？什么是相对稳定条件？绝对稳定条件下如何设计？相对稳定条件下如何设计？

10.设计方式有几种？

11.电路偏置的种类？

12.输入驻波比和输出驻波比？

【Q1】电感的不同种类？各自的作用和应用场合是？

【A1】

高阻抗电感
曲折线形电感
螺旋电感

高阻抗电感：极限的感值小（1nH以内），常常用于工作频带很宽的分布式放大器中；
曲折线性电感：面积过大，无法满足芯片小型化要求，被弃用；
螺旋电感：对于片上螺旋电感，相邻的微带线具有相同方向的电流，所以产生的互感扩大了螺旋电感的值。能够在占用面积小的情况，产生几个nH的电感，相比形状弯曲的微带线电感，具有更加高的品质因数。

缺点：高频下会有明显的趋肤效应和严重的寄生效应，螺旋电感的Q值还是不如人意；

加工难度，它需要从中心连接到外部电路，必须使用空气桥结构或者是电介质隔离的底下通路。

对于平面螺旋电感，等效电路模型的反馈电容Cs的存在，螺旋电感的固有谐振频率相对较低，工作频率一般只能达到20Ghz.

【Q2】电容的不同种类？各自的用途和作用？

【A2】

微带线形电容
肖特基二极管PN结电容
耦合叉指形电容
MIM电容
STK 电容

微带线电容和PN结电容，适用于高阻抗匹配电路，不过最大允许电容值较低
叉指电容可用电容可达1pF,当电容更大时，受尺寸限制和分布效应影响而无法使用
MIM和叉指电容为覆盖形结构，两块金属板中间夹杂介质膜，可适用于低阻抗电路/旁路及隔直电路
当工作频率低于20GHz时，MIM电容在MMIC中普遍使用

【Q3】电阻的不同种类？各自的用途？

【A3】

薄膜电阻
GaAs膜电阻

用于反馈电路
用于功率合成器
用于耦合器的隔离和终端
作为平衡宽带范围增益的缓冲电阻

【Q4】为何需要匹配？匹配的原理是？

【A4】

首先，为何需要S参数？

低频时，可以将有源器件看作是二端口网络，使用网络的两端口参数描述，常可以等价成固定的Z，Y,h或ABCD来描述特性

高频时，上述理想的开短路条件不满足，所以用端口特性S参数来表征。

那么，如何测量S参数呢？为何要这样测量呢？

A波是输入波，B波是输出波。

现在目标是，看一下理想情况下的端口输出的波的比值特性。

以A1波为唯一输入波，A2波=0

此时，测量B1波和B2波，因为B2是我们输出端口出来的波，是我们理想的需要的传输信号。所以当然是传输信号越大越好。

而B1波是我们不希望的回路上的波，它会影响我们的信号。并且，可能还会引起VSWR的驻波问题，阻碍信号传递。所以应该是越小越好。

那么，S参数可以看作是，在仅仅有单端波输入情况下的输出的理想参数。

但是，往往双端都可能作为输入波，即A1,A2两端的波同时作为输入波存在。

比如，后级反射回来B1的波，直接送到了前级的2端口输入端作为A2波，那么这样就会互相影响。

所以，非理想下实际的波的情况是

对于任意负载阻抗时的输入反射系数和输出反射系数：

负载端匹配的时候，TL=0;Tin=S11;源端匹配时，Ts=0,Tout=S22

我们可以看成是，和负载与源完全无关时，任意负载和源的条件下。

二端端口1上输入和输出的全部波的比值，就是Tin,可以看成是看向器件的输入信号的特性。

而Tout则是器件端口上全部输入和输出波的比值，可以看成是看向器件端面，所获得的全部信号。

那么这种Tin和Tout又有什么作用呢？

可以把任何被测器件看作是一个黑盒子，我们不知道这个黑盒子中有什么东西，但是我们只要知道从这个端口看进去和看出来的波的情况。

我就可以把黑盒子和黑盒子连接起来。

那么什么叫匹配呢？

一堆磁铁，它有N和S极，把它切开来，它的断面依旧是一个N和S的结合。

所以，匹配一定互易，这样才能最大信号传输，像磁铁一样吸附力最大。

否则，如果N的断面上多了一点S的特性，不是会和另一面的S端产生排斥的作用么？

这样，就相当于N的断面上能量和S端能量相比，少了很多，大小不匹配了，无法达到最佳传输。

电磁波传输也是一样的道理。

现在我们看器件，就像是把磁铁左边切断，右边切断，去看中间一块磁铁的特性。

那么，左边的磁铁到底应该是多少才能和中间的匹配呢？

从中间看向左侧的信号Ts就是它的端口特性，同时也表征着左侧磁铁的输出特性。

这其中，中间磁铁是黑盒子，我们没法改变，Tin和Tout都是属于器件的特性，这东西做出来的时候，特性就已经决定。

我们的目标就是试图改变一下左侧的磁铁和右侧磁铁的状态，然后将中间的磁铁的性能最大的发挥到外面的电路中去。

但是，左侧的磁铁的整体，可能里面不仅仅有匹配电路（通路匹配），而且可能接个负载。

因为它本身就是要级联的，就算是单端的，那么最后其实还是要和外面的电缆还有器件连起来的。

所以通信协议就很重要了，大家按照一个标准去通信，这样才能不“牛头不对马嘴”

于是，我们把前后两块磁铁再分一下。

那么，如果TL=0，就相当于不考虑负载对DUT的传送信号的影响，或者可以说负载就是50欧姆的匹配状态。

TL=0也可以翻译成，A2波没有去干扰A1波的情况，即A2=0。

所以，此时的S22就是DUT的输出反射状态了，而此时S21和S12都完全成为交互传输信号，而不会有损耗在回路中的信号了。

在级联的条件下，什么是真正的损失信号？就是驻留在端口的信号，被端口吃掉阻碍掉的信号就是信号损失。

而穿通的传输的信号，都是流通在端和端之间的，器件成了信号传递的“媒介”，所以本质上信号无损失。

【Q5】噪声匹配的原理？为什么要考虑噪声匹配？

【A5】

我们还是分成几个端面，我们的目标还是把DUT的性能发挥出来。

那么DUT本身的噪声对我们来说，就相当于是DUT自身的性能，从它出厂的那一刹那，这个性能就变化不了了。

所以，对于外接电路，我们还是需要用匹配的方法，将信号通路间的噪声尽可能降低。

因为我们知道，信号失配本质上是波传输的阻碍或增幅。

NF同样和S参数一样，是端口特性。

全部从端口的角度去看所有器件，而不是从器件两端之间的传输形成的效应来看器件。

这是大信号和小信号观察器件完全不同的角度。

那么，从端口的特性来说，我们肯定是希望输入端面上的“通信”的信号越大越好，而输入断面上的“阻碍”的信号越小越好。

阻碍信号中，一切不希望的信号本质上都可以看作是噪声。比如端口上测量的DUT本身的噪声，比如进入端口的非线性信号，比如进入端口的交调信号，比如临近通道之间互相干扰的频段噪声。

无论从功率，频率，相位，信号的角度看的，在端口上“干扰”或“淹没”主信号的信号，都可以视作噪声。

于是，我们只需要知道端口上通信的信号和阻碍信号的比值，就可以作为一个端口特性去衡量出一个标准。

于是，诞生了NF这个指标。

我只要知道输入端口的信噪功率比和输出端口的信噪功率比，那么就可以知道我传输进这个DUT的信号会变出多少不理想的信号出来，是不是会淹没主信号？

这里产生一个疑问，为何一定是以“功率”作为衡量的媒介？电压可以么？电流可以么？相位？幅度？

用dB表示可以方便加减计算

什么是噪声的恶化？

就是NF大于1的情况下，信号放大了，但是噪声没有等比例被放大，影响变严重的条件下。

那么对于级联的情况下要如何考虑噪声之间的影响呢？

可以看成，源端是一个噪声源，负载端又是一个噪声源，这两个源都会往DUT里面送信号，导致DUT的噪声传输出来恶化。

源，应该用导纳来描述。

源导纳

负载导纳

最后，得到这个NF的全部的值，可以看到NFmin是最小噪声参数，理想情况下当然是接近它最好了。Rn是等效噪声电阻，R0是微波系统阻抗（归一化的阻抗50欧姆），Topt表示具有最小噪声系数时的源反射的系数。

（NFmin,Topt=Ts）

那么对于联级之后的系统呢？要如何考虑噪声？

主要是第一级噪声影响最大。

那么如何设计噪声性能呢？

选择栅长短的。栅长越短，跨导Gm越大，栅电容Cgs越小，噪声越小。（栅长大了，相当于用于传输信号的沟道电阻Rds变大了，本身消耗在gate上的能量也变大了。Cgs电容是起到高频传输信号的作用，有效信号越高越好，所以Cgs越小越好）
选择迁移率更高的。迁移率更高，跨导Gm越大，噪声越小。（载流子流动更快了，有效信号越大，受影响的信号就相对越小）
这种选择栅宽和叉指数，既降低Rn,Rg,Rs,又兼顾Cgs
合理选择器件的直流偏置点，选择靠近线性区的，功率低的，则噪声较小。

【Q6】什么是功率增益？有几种功率增益？分别起什么作用？为何提出？

【A6】