目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下:
1. 凸点节距:
a. 减小凸点节距能够提高I/O密度;
b. 节距变化趋势:250um逐渐降低至75um,CP bump节距可以做到更低;
2. 焊锡凸点沉积方法: 蒸镀-->丝网印刷-->电镀;
3. bump焊料组分:高铅-->共晶-->无铅(Sn-Ag)-->Cu柱节距<125um;
4. 封装组成: 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板;
5. 封装结构: 密封单片盖(SPL)-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑
现在由于小节距阵列和无铅化要求,晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况,如ILD(电介质层)开裂,UBM分层,凸点开裂,或其他与应力有关的问题。解决此类问题,封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;
1. 顶层Cu或Al的厚度;
2. 非ELK覆盖层数;
3. 通孔密度;
4. 硅一侧凸点焊盘开口;
5. 凸点UBM的直径和高度;
6. 在凸点结构下方添加钝化层,如聚酰亚胺(PI)或PBO;
7. UBM叠层,如厚度和材料;
8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口(SMO);
9. UBM/SMO对比;
10. UBM应力;
11. 芯片/封装之比;
12.底部填充材料;如高Tg
13. 回流温度曲线,如缓慢冷却;
14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元;
15. 基板芯材及厚度;
16.基板热膨胀系数