1.金手指下方的挖空和平面
对于支持16.0 GT/s的AIC,在金手指下方15mil以内,严禁有任何GND平面或电源平面,此区域的任何导体都会增加相对于高速信号线的电容,并且降低插损和增加回损。
内层的平面可以从板内向金手指方向延伸2mm,但需要注意GND平面距离金手指表面一定要大于15mil。
2.金手指长度
金手指长度为3.91mm(154.0 mil),整个金手指长度包含倒角区域为5.6mm。这种情况下,在金手指区域和倒角区域之间有0.39mm的空间,和Gen 1的4.3mm相比,金手指长度有所减少。在超出金手指下端0.13mm的区域中允许有少量的残留表面金属。任何活跃的PRSNT1#或PRSNT2# pin长度应该在3.2mm,无功能PRSNT2#金手指长度可以是3.2mm,也可以是3.91mm。
3. AIC相邻的金手指地孔
AIC金手指的地孔必须分布在金手指相邻pin的正中间,这样可以减小信号出线的干扰。金手指上边缘到GND过孔的下边缘不能超过15mil。GND过孔和GND pin相连接的走线宽度必须大于等于过孔pad的直径,这样做是为了最小化接地电感。金手指的正反面GND pin可以共用GND过孔。
4.合并金手指GND过孔
很多金手指GND pin相邻在一起,这种情况下,将和GND pin相连的GND过孔接在一起可以增加接地共振(ground resonance)。GND孔同样也可以两面共用。