Flash（闪存）基本原理

闪存基本原理

Nand Flash是一种非易失性存储器（Non-volatile memory），通俗来说，就是掉电之后不会丢失数据。闪存的基本存储单元为：“浮栅晶体管”，如图所示

浮栅极内没有电子，用状态 1 表示。存储一定量电子的状态用 0 表示。

读写擦操作原理

• 写操作：（电子进入浮栅极）在控制极添加一个比较大的正电压，电子会穿过隧道氧化层进入浮栅极
• 擦除操作：（电子从浮栅极出来）在衬底添加一个大的正电压，电子会从浮栅极经过隧道氧化层回到衬底
• 读操作：（晶体管是否导通）通过在控制极添加一个中等电压，判断晶体管是否导通，如果导通则状态为1，否则为0。假设浮栅极内现在没有电子（即状态为1），此时导通电压为0.1v。注入一定量电子之后（状态为0），此时的导通电压为0.5v。我们在控制极加一个0.3v的电压（参考电压），如果晶体管导通，则为1，反之则为0。

闪存块的组织结构

微观角度

Word line和Bit line，它俩是NAND Flash中存储阵列用于寻址和操作存储单元的核心结构。

• WL：是连接存储单元控制极的横向导线，负责激活某一整行所有的存储单元，使其进入可操作状态
• BL：是连接源极 / 漏极的纵向导线，负责读写某一列的数据，在读数据的过程中，BL可以检测到电流的变化

对于SLC来说，因为一个存储单元内存储 1 bit数据，所以1个字线包含一个Page。TLC包含3个Page。一个Page有多少Bit，就存在多少位线。

宏观角度

Page是读写操作的最小单位

Block是擦除操作的最小单位，因为在一个Block中，所有的存储单元都共用一个衬底，擦除操作要在衬底加一个强电压，会将所有存储单元的电子吸出来，因此擦除操作的最小单位是Block

Plane是芯片内部的一个区域，它拥有独立的Cache Register 和 Page Register的物理结构，可以独立进行读写擦操作，多个Plane可以并行执行读写擦操作。

LUN是SSD中能够独立执行命令的闪存单元，可以单独寻址，但是在一个LUN中，一次只能执行一个命令（因为闪存传输总线不能共用）