笔记 -- 电磁学基础2

2021-9-28 08:23:40
1、稳恒电流磁场
　1）定义：运动电荷产生不随时间变化的磁场
　2）基本方程
　　　　　　　　$▽\times \mathbf{H}=\mathbf{J}$
　　　　　　　　$▽\cdot \mathbf{B}=0$
　　　　　　　　$\mathbf{B}=\mu \mathbf{H}$
　3）边界条件
　　　　　　　　$\mathbf{n}\times ({\mathbf{H}}_2-{\mathbf{H}}_1)=\mathbf{\alpha }$
　　　　　　　　$\mathbf{n}\cdot ({\mathbf{B}}_2-{\mathbf{B}}_1)=0$
　　　　　　　　$\circ$非铁磁均匀介质
　4）矢势：介质粒子在自旋方向的速度
　（$▽\cdot \mathbf{B}=0\to \mathbf{A}$$\Rightarrow$$\mathbf{B}=▽\times \mathbf{A}\to {\int }_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}={\oint }_L\mathbf{A}\cdot d\mathbf{l},\mathbf{S}$以回路$\mathbf{L}$为边界的任意曲面）
　$\bullet$磁通量仅相关于曲面边界，无关于曲面形状
　$\bullet {▽}^2\mathbf{A}=-\mu \mathbf{J}\Rightarrow \mathbf{A}=\frac{\mu }{4\pi }{\int }_V\frac{\mathbf{J}({\mathbf{x}}^{\prime })}{r}d{V}^{\prime }$
　$\bullet \mathbf{B}=▽\times \mathbf{A}=\frac{\mu }{4\pi }{\int }_V\frac{\mathbf{J}({\mathbf{x}}^{\prime })\times \mathbf{r}}{r^3}d{V}^{\prime }$
2、边界条件：磁介质分界面相应物理量遵循的规律
3、安培环路定理：磁场中磁场强度沿任意闭合路径的线积分等于穿过该积分路径所确定曲面的电流总和（${\oint }_{\Gamma }\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}={\iint }_{\Omega }(\mathbf{J}+\frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t})d\mathbf{S},\mathbf{D}$）表示电通密度，$\Gamma$为曲面$\Omega$边界
4、法拉第电磁感应定律：闭合回路中感应电动势与穿过此回路磁通量随时间变化率成正比（${\oint }_{\Gamma }\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=-{\iint }_{\Omega }\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}d\mathbf{S}$）
5、高斯电通定律：穿过任意闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围的电荷量（$\iint \mathbf{D}d\mathbf{S}={\iiint }_V\rho dV$）
6、高斯磁通定律：穿过任意曲面的磁通量恒为0（$\iint \mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=0$）
7、磁场求解方程
　1）静磁场：泊松方程（$\Delta \cdot E=-△\phi$）
　2）二位稳恒磁场：拉普拉斯方程（$\Delta \phi =0$）
　3）二维交变磁场：复数拉普拉斯方程（$▽\cdot ((\sigma +j\omega ϵ)▽\phi )=0$）
　4）二维涡流场：波动方程
8、磁耦合：线圈通过磁通相互咋链的关系
9、漏磁通（漏感）：磁通未与被激线圈匝合，仅与激励线圈匝合（仅存在于耦合线圈中，独立电感无漏感），从而不参与能量传输
10、主磁通：同时通过初级和次级线圈
$\bullet$耦合电感异名端串联，等效电感增加（差模电感）；同名端串联，等效电感减小（共模电感）；并联电感应避免线圈环流，导致感量降低
$\bullet$激磁电流·仅提供能量传输条件，不参与能量传输（降低激磁储能$\to$高磁导率）
11、散磁通：通过空气闭合而非通过磁芯材料闭合的磁通
12、等截面原理：E型磁芯的边柱截面积之和与中柱截面积相等
13、边缘磁通：气隙较大时，经过气隙边缘的磁通
$†$开关电源中，为减少直流滤波电感的体积可采用应磁材料（矫顽力较大，不易磁化和去磁）产生恒定磁场抵消直流偏置
14、磁化弛豫效应：在磁化/反磁化过程中，磁化状态逐渐随磁化强度变化至最终状态的过程
15、软磁材料要求：高磁导率（降低磁元件体积）、矫顽力较小 & 磁化曲线窄（磁滞损耗小）、电阻率高（涡损小）、饱和磁感应强度高（磁芯截面积小）
16、电感系数：磁芯 $1or1000$匝线圈所具备的感量
17、非线性电感：穿过线圈的磁链与其电流不成正比
18、直流滤波电感工作状态（Ⅰ类工作状态）：boost电感、buck-boost电感、正激、非对称半桥、推挽变换器输出滤波电感，单端反激电感-变压器磁芯
　1）CCM下，直流偏磁大、交流分量小，磁滞 & 涡损较小（高饱和磁通材料，减少磁芯体积）
　2）直流分量较大，避免磁芯饱和磁导率不宜过高（高磁导率$\to$加气隙）
19、趋肤效应：高频磁场在导线内产生感应电动势，该电动势在导线长度方向产生涡流阻值磁通变化，从而主电流和涡流在导线表面增强，趋向导向中心越弱（安培左手定则（磁导线垂直穿过掌心，四指指向电流方向，大拇指即为力的方向$F=BIl$））
20、趋肤深度：导线下深度$\Delta =\sqrt{\frac{2k}{\omega \mu \gamma }}\to \Delta \approx \frac{7.65}{\sqrt{f}}(T=100°C)$厚度导体流过全部电流
$\bullet d>2\Delta ,\frac{R_{ac}}{R_{dc}}=\frac{(\frac{d}{2\Delta }{)}^2}{(\frac{d}{2\Delta }{)}^2-(\frac{d}{2\Delta }-1{)}^2}$
20、利兹线：扭绞多根小于趋肤深度直径的导线（$50Hz$以下使用）
21、$†$邻近效应：两路电流相反的导线，通过高频电流时使得导体电流挤在两导体邻近的一侧（PCB时，高频回流导线分层排布，同层平行靠近性能最差（即使导线很宽，也仅在邻近区域有电流，损耗较大，且层厚度不应超过趋肤深度））
22、爬电距离：导体周围绝缘材料电极化，导致绝缘材料呈现带电区，可导部件之间沿绝缘材料表面最短距离（导线绝缘程度影响爬电距离$\to$安全绝缘要求，或可以通过加重绝缘导线以不用预留爬电距离）
23、居里温度：磁性材料自发磁化强度降为0时的温度，即铁磁性/亚铁磁性转变为顺磁性物质的临界点（$T_C=\frac{2\Delta E}{3C{k}_B},k_B\&\Delta E\&C$玻尔兹曼常数 & 磁能差 & 磁性离子浓度（掺杂浓度））
24、磁动势（$mmf=0.4\pi NI$）：驱动通电导体在周围空间产生磁场所需的“力”
25、磁路长度（$MPL(cm)$）:磁芯中磁通通过的路径长度
$\bullet H=\frac{mmf}{MPL}$
26、磁路安培定律：$mmf=\Phi R_m,R_m=\frac{MPL}{{\mu }_r{\mu }_0{A}_c},{\mu }_r=\frac{\mathbf{B}}{{\mu }_0\mathbf{H}}$为磁阻
27、气隙电阻（$R_g=\frac{l_g(cm)}{{\mu }_0{A}_c}，{\mu }_0=1$）：空气磁导率相对于磁芯较高，从而磁阻可通过调整气隙进行控制
28、电感设计中：$l_g=\frac{mmf\times 10^{-4}}{B_{dc}}(cm)$，由于存在边缘磁通导致总磁阻降低（缩短了气隙）
29、开气隙直流电感器
　1）最高磁通密度：$B_{max}=\frac{0.4\pi N(I_{dc}+\frac{\Delta I}{2})\times 10^{-4}}{l_g+\frac{MPL}{{\mu }_m}}(T)$
　2）边缘磁通系数：$F=1+\frac{l_g}{\sqrt{A_c}}ln\frac{2G}{l_g},G$为线圈长度（非绕组）
　$†$边缘磁通切割导线，产生涡流导致损耗增加且增大电感使磁芯过早饱和
　3）电感：$L=F(\frac{0.4\pi N^2{A}_c\times 10^{-8}}{l_g+\frac{MPL}{{\mu }_m}})(H)$
　4）匝数：$N=\sqrt{\frac{L(l_g+\frac{MPL}{{\mu }_m})}{0.4\pi A_{c}F\times 10^{-8}}}$
　5）注：（1）低磁导率（$<60$）功率磁芯存在边缘磁通；（2）低磁导率粉芯设计高频变换器一般匝数较少（均匀绕线）
　6）材料
　　（1）硅钢：电阻率增加，降低涡流损耗，提高时间稳定性
　　（2）铁粉芯一般不使用于非连续电流的电感及大交流磁通摆幅的变压器
　　$†$（3）饱和磁通密度反比于磁芯体积
　　$†$（4）气隙将消除或减少变压器饱和及漏感引起的电压尖峰（磁饱和时，初级感量明显降低，初级直流电阻及功率MOSFET功耗迅速增加）
　　$†$（5）合成磁芯气隙通过绑扎时端面嵌入聚脂薄膜或聚酰亚胺薄膜（$50\mu m$）
　　（6）磁感应增量（$\Delta B=B_{max}-B_r$）：$\Delta B$越大，磁感应强度变化范围越宽，磁芯铁损越大，但所需匝数越少，铜损越小
　　$†$（7）绕组层数影响漏感与分布电容
　7）窗口利用率：$K_u=S_1{S}_2{S}_3{S}_4(导线绝缘\times 填充系数\times 有效窗口\times 绝缘系数)$
　8）磁芯功率处理能力（$A_p$面积积）：$A_p=A_w\times A_e=\frac{P_t\times 10^4}{K_f{K}_u{B}_{m}Jf},K_f$波形系数（$K_f=4.0\leftarrow square;K_f=4.44\leftarrow sine$）
　9）负载调整率（load regulation）：$\alpha =\frac{U_{empty}-U_{full-load}}{U_o}\times 100\%$
　10）电压调整率（voltage regulation）：$\beta =\frac{U_{oNull-load}-U_{ofull-load}}{U_{o}full-load}$
　11）变压器调整率：$\alpha =\frac{P_{Cu}}{P_o}\times 100\%$
　12）热辐射（$W_r=K_rϵ(T_2^4-T_1^4)(W/c{m}^2)$）：当热源温度高于环境温度时，$K_r=5.7(10^{-12})W/(c{m}^2/K^4),T_2\&T_1$分别表示热源温度 & 环境温度（开尔文-$K$）
　13）热对流（$W_c=K_{c}F{\theta }^{\eta }\sqrt{P}(W/c{m}^2)$）：热源高于环境温度时，通过对周围空气进行加热降温，$K_c=2.17\times 10^{-4},F$为空气摩阻系数，$\theta {(}^{\circ }C)$为温升，$P$为大气压，$\eta =1.0\sim 1.25$
　2021-10-7 19:11:04