2022-5-3 18:33:00
2022-5-4 18:36:39
2022-5-5 20:02:15
2022-5-6 19:59:25
2022-5-8 10:11:34
1、背景
◊
\Diamond
◊ 1)共模噪声
★
\bigstar
★a)定义:线路对地噪声,一般存在于交流电源电气设备输入端(L、N线),且对地相位保持相同,干扰信号以地为公共回路且在两天线上各流过
1
2
\frac{1}{2}
21。
√
\surd
√实际中由于线路阻抗不平衡,导致共模新号转化为差模信号。
√
\surd
√EMC中共模新号为主要干扰(接地、屏蔽、滤波,其中整机屏蔽单元中的接地点与屏蔽点须等电位)
★
\bigstar
★b)来源:电网引入、地电位差、空间电磁辐射在信号线上感应出的共态电压。
★
\bigstar
★c)避免方案
∘
\circ
∘接地型:电路板工作地与参考地相连且接地点位于信号线入口;共模电流的连接器集中位于电路板同侧,避免共模电流流过整个电路板及其他工作地;布线远离高压线,高压与信号线相分离
∘
\circ
∘浮地型:扼流圈,避免共模新号转化为差模信号;PCB布局中的各个电路对其参考地保持零电位,且在I/O、RST等关键信号设计滤波电路
◊
\Diamond
◊ 2)设计应考虑
√
\surd
√ 正常工作时,磁心不应饱和
√
\surd
√ 对高频信号阻抗足够大
√
\surd
√ 温度系数与分布电容较小
√
\surd
√ 直流电阻尽量小
√
\surd
√ 感应电感量尽可能大(
∼
30
m
H
\sim 30mH
∼30mH功率电路段)
∘
\circ
∘过大的电感量将减弱对高频杂讯抑制效果(
5
∼
10
M
H
z
5\sim 10MHz
5∼10MHz)
2、结构示意
参阅
3、实质:通过与电容搭配形成LC型低通滤波器以滤除高频干扰
4、设计步骤
√
\surd
√ EMI允许级别
→
\to
→电感量确定
→
\to
→ 磁心材料及规格确定
→
\to
→ 实物测试
†
F
C
C
−
C
L
A
S
S
−
B
\dagger FCC-CLASS-B
†FCC−CLASS−B
∘
\circ
∘传导干扰:150KHz
∼
\thicksim
∼ 30MHz
∘
\circ
∘辐射干扰:30MHz
∼
\thicksim
∼ 1GHz
†
\dagger
†电感量确定
设定截止频率为50KHz(一般不小于
10
K
H
z
10KHz
10KHz),则
L
=
1
(
2
π
f
0
)
2
C
∥
(
线
路
阻
抗
确
定
最
小
电
感
:
L
=
X
s
2
π
f
0
,
一
般
线
路
串
联
阻
抗
X
s
=
50
Ω
,
10
K
H
z
→
X
s
=
100
Ω
)
L=\frac{1}{(2\pi f_0)^2C} \Vert (线路阻抗确定最小电感:L=\frac{X_s}{2\pi f_0},一般线路串联阻抗X_s=50\Omega,10KHz\to X_s=100\Omega)
L=(2πf0)2C1∥(线路阻抗确定最小电感:L=2πf0Xs,一般线路串联阻抗Xs=50Ω,10KHz→Xs=100Ω)(以
C
=
3300
p
F
为
例
→
L
=
3.07
m
H
C=3300pF 为例\to L=3.07mH
C=3300pF为例→L=3.07mH)
†
\dagger
†磁心选取(高磁导率)
∘
\circ
∘低
B
−
H
B-H
B−H比例材料、磁芯损耗低且
B
s
B_s
Bs较高
∘
N
i
−
Z
n
\circ Ni-Zn
∘Ni−Zn铁氧体材料(
μ
<
1000
\mu <1000
μ<1000)且可在
>
100
M
H
z
>100MHz
>100MHz频率下磁导率保持不变。由于磁导率较低,从而低频时阻抗较小,适用于抑制
10
∼
20
M
H
z
10\sim 20MHz
10∼20MHz的干扰
∗
L
型
材
料
B
−
H
曲
线
,
μ
=
700
\ast L型材料B-H曲线,\mu=700
∗L型材料B−H曲线,μ=700
∘
M
n
−
Z
n
\circ Mn-Zn
∘Mn−Zn铁氧体材料(
μ
>
15000
\mu >15000
μ>15000)而
f
>
20
K
H
z
f>20KHz
f>20KHz时磁导率下降(magnetics提供的$
J
(
5000
μ
)
、
W
(
10000
μ
)
、
M
(
15000
μ
)
J(5000\mu)、W(10000\mu)、M(15000\mu)
J(5000μ)、W(10000μ)、M(15000μ)型磁芯),由于磁导率较高,适用于抑制
10
K
H
z
∼
50
M
H
z
10KHz\sim 50MHz
10KHz∼50MHz宽频干扰
∗
M
型
材
料
B
−
H
曲
线
,
μ
=
15000
\ast M型材料B-H曲线,\mu=15000
∗M型材料B−H曲线,μ=15000
†
\dagger
†磁心规格
∘
\circ
∘环形优、劣势
∙
\bullet
∙由于不需要额外工艺将部件之间进行研磨组合,从而成本较低
∙
\bullet
∙完整环形中并不存在拼接气隙,从而有效磁导率较高
⋅
\centerdot
⋅由于环形绕线须专用绕线机或人工绕制,从而单件成本较高
†
\dagger
†绕组:
∘
\circ
∘典型电流密度取值:
j
=
4
A
/
m
m
2
j=4A/mm^2
j=4A/mm2
∘
\circ
∘单股导线:成本低、高频集肤效应的铜损有利于减弱干扰
∘
\circ
∘绕组间设置隔离,则各绕组一般占据
150
°
∼
170
°
150°\sim170°
150°∼170°内周圆
∘
\circ
∘匝数:
N
=
1000
L
(
m
H
)
A
L
N=1000\sqrt{\frac{L(mH)}{A_L}}
N=1000ALL(mH)
⋅
\centerdot
⋅如:
J
J
J型材料
μ
=
5000
,
A
L
=
3020
\mu=5000,A_L=3020
μ=5000,AL=3020
∘
\circ
∘线径:
r
=
I
i
n
j
π
r=\sqrt\frac{I_{in}}{j\pi}
r=jπIin
▶
\blacktriangleright
▶磁心饱和:一般不会饱和,但部分差模磁通经绕组离开磁芯,且该漏磁通与导线中电流、绕组漏感成比例,从而导致在导线电流过大时磁心饱和或使工作点从B-H回路的原点偏移至磁导率增量较小的点
▹
\triangleright
▹共模线圈传给后面负载的电流偏大,已经超过或达到共模电感的额定电流
▹
\triangleright
▹共模干扰信号的单周期宽度比较大,使得电感电流出现饱和,此时可将感量设计稍大(不可过大,否则降低负载电流)
∘
\circ
∘设计
∙
\bullet
∙选取
J
J
J型磁芯:
46113
T
C
∥
43825
T
C
,
A
L
=
6845
∥
A
L
=
16730
46113TC\Vert 43825TC,A_L=6845\Vert A_L=16730
46113TC∥43825TC,AL=6845∥AL=16730,尺寸:
61
∗
35.6
∗
127
∥
38.1
∗
19
∗
25.4
61*35.6*127\Vert 38.1*19*25.4
61∗35.6∗127∥38.1∗19∗25.4,磁路长度:
l
e
=
144.6
∥
l
e
=
82.8
l_e=144.6\Vert l_e=82.8
le=144.6∥le=82.8,磁通面积:
157.4
∥
233
157.4\Vert 233
157.4∥233,磁通体积:
22774
∥
19304
22774\Vert 19304
22774∥19304,绕线面积:
9.93
c
m
2
∥
2.85
c
m
2
9.93cm^2\Vert 2.85cm^2
9.93cm2∥2.85cm2
∙
L
=
3.07
m
H
,
N
=
L
A
L
\bullet L=3.07mH,N=\sqrt{\frac{L}{A_L}}
∙L=3.07mH,N=ALL,此时考虑最差
A
L
A_L
AL情况下所需要的绕组匝数,即
A
L
=
A
L
(
1
−
20
%
)
→
N
=
23.6
∥
N
=
15.1
A_L=A_L(1-20\%)\to N=23.6\Vert N=15.1
AL=AL(1−20%)→N=23.6∥N=15.1
∙
\bullet
∙设流过的电流
I
=
2
A
I=2A
I=2A,则导线截面积
r
=
I
/
j
=
0.5
m
m
2
r=I/j=0.5mm^2
r=I/j=0.5mm2,根据AWG线规
选择AWG19#线,外径为:
R
w
i
r
e
=
0.912
m
m
R_{wire}=0.912mm
Rwire=0.912mm,导体电阻:
@
20
°
D
C
R
=
8.05
Ω
/
m
@20° DCR=8.05\Omega/m
@20°DCR=8.05Ω/m,重量:
w
e
i
g
h
t
=
5.8
k
g
/
k
m
weight=5.8kg/km
weight=5.8kg/km
∙
\bullet
∙假设选取第二种磁环
▹
\triangleright
▹磁环外周长:
C
o
u
t
t
e
r
=
2
∗
π
∗
38.1
2
=
119.6
m
m
C_{outter}=2*\pi*\frac{38.1}{2}=119.6mm
Coutter=2∗π∗238.1=119.6mm
▹
\triangleright
▹磁环内周长:
C
i
n
n
e
r
=
2
∗
π
∗
19
2
=
59.7
m
m
C_{inner}=2*\pi*\frac{19}{2}=59.7mm
Cinner=2∗π∗219=59.7mm
▹
N
=
15
\triangleright N=15
▹N=15,匝数所需长度:
C
w
i
r
e
=
N
∗
R
w
i
r
e
=
13.68
m
m
C_{wire}=N*R_{wire}=13.68mm
Cwire=N∗Rwire=13.68mm,则
η
o
u
t
=
C
w
i
r
e
C
o
u
t
t
e
r
=
0.11
,
η
i
n
=
C
w
i
r
e
C
i
n
n
e
r
=
0.23
(
82.5
°
)
\eta_{out}=\frac{C_{wire}}{C_outter}=0.11,\eta_{in}=\frac{C_{wire}}{C_{inner}}=0.23(82.5°)
ηout=CoutterCwire=0.11,ηin=CinnerCwire=0.23(82.5°)
▹
\triangleright
▹平均匝长:
l
w
i
r
e
=
2
∗
(
38.1
−
19
)
+
2
∗
25.4
=
89
m
m
→
D
C
R
=
8.05
∗
0.089
=
0.72
Ω
l_{wire}=2*(38.1-19)+2*25.4=89mm\to DCR=8.05*0.089=0.72\Omega
lwire=2∗(38.1−19)+2∗25.4=89mm→DCR=8.05∗0.089=0.72Ω
▶
\blacktriangleright
▶绕线方式
▹
\triangleright
▹双线并绕:差模电感较小、耦合电容大、漏感较小;一般采用共模+差模滤波方式,且多用于输出级高频滤波,但不能兼顾EMI性能
▹
\triangleright
▹分开绕制:耦合电容较小、漏感较高;一般利用漏感代替差模电感的作用,因此常采用共模+共模滤波方式,且多用于输入工频滤波,并可兼顾EMI性能
更新后的电感量:
L
=
N
2
∗
A
L
=
3.01
m
H
L=N^2*A_L=3.01mH
L=N2∗AL=3.01mH
♣
\clubsuit
♣选取并线绕制的方式
♠
\spadesuit
♠例:
输入电压:
U
i
=
120
∗
s
i
n
(
2
π
f
t
)
V
U_i=120*sin(2\pi ft)V
Ui=120∗sin(2πft)V
输出功率:
P
o
u
t
=
50
W
P_{out}=50W
Pout=50W
转换效率:
η
=
0.85
\eta=0.85
η=0.85
EMI滤波Y电容:
C
Y
=
2500
p
F
C_Y=2500pF
CY=2500pF
▶
P
i
n
=
P
o
u
t
/
η
=
59
W
\blacktriangleright P_{in}=P_{out}/\eta=59W
▶Pin=Pout/η=59W
▶
I
i
n
=
P
i
n
/
U
i
n
=
0.5
A
\blacktriangleright I_{in}=P_{in}/U_{in}=0.5A
▶Iin=Pin/Uin=0.5A
▶
s
w
i
r
e
=
I
i
n
/
j
=
0.125
m
m
2
\blacktriangleright s_{wire}=I_{in}/j=0.125mm^2
▶swire=Iin/j=0.125mm2
▶
26
A
W
G
→
S
w
i
r
e
=
0.1281
m
m
2
>
s
w
i
r
e
∥
R
w
i
r
e
=
143
Ω
/
K
m
\blacktriangleright 26AWG \to S_{wire}=0.1281mm^2>s_{wire}\Vert R_{wire}=143\Omega/Km
▶26AWG→Swire=0.1281mm2>swire∥Rwire=143Ω/Km
▶
\blacktriangleright
▶假定EMI滤波频率
f
=
50
K
H
z
→
f
=
1
2
π
L
C
→
L
=
4.07
m
H
f=50KHz \to f=\frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}\to L=4.07mH
f=50KHz→f=2πLC1→L=4.07mH
▶
\blacktriangleright
▶选取magnetics M型(
±
30
%
\pm30\%
±30%)
41306
T
C
(
12.7
∗
8.14
∗
6.35
)
41306TC(12.7*8.14*6.35)
41306TC(12.7∗8.14∗6.35)
▹
\triangleright
▹磁导率:
A
L
=
8476
A_L=8476
AL=8476
▹
\triangleright
▹磁路长度:
l
e
=
31.7
l_e=31.7
le=31.7
▹
\triangleright
▹磁芯截面积:
A
e
=
14.2
m
m
2
A_e=14.2mm^2
Ae=14.2mm2
▹
\triangleright
▹磁芯体积:
V
e
=
451
m
m
3
V_e=451mm^3
Ve=451mm3
▹
\triangleright
▹窗面积:
A
W
=
49
m
m
2
A_W=49mm^2
AW=49mm2
▹
\triangleright
▹绕组:
N
2
=
L
/
A
L
→
N
≈
27
N^2=L/A_L\to N\approx27
N2=L/AL→N≈27
▹
\triangleright
▹总绕组截面积:
S
s
u
m
w
i
r
e
=
N
∗
S
w
i
r
e
≈
3.46
m
m
2
→
η
w
i
n
d
o
w
=
S
s
u
m
w
i
r
e
/
A
W
=
7
%
S_{sum_{wire}}=N*S_{wire}\approx3.46mm^2\to \eta_{window}=S_{sum_{wire}}/A_W=7\%
Ssumwire=N∗Swire≈3.46mm2→ηwindow=Ssumwire/AW=7%
▹
\triangleright
▹Maxwell建模分析
√
1
、
M
a
x
w
e
l
l
→
p
r
o
j
e
c
t
→
D
r
a
w
(
C
y
l
i
n
d
e
r
1
)
→
x
=
8.14
,
y
=
8.14
,
z
=
6.35
→
D
r
a
w
(
C
y
l
i
n
d
e
r
1
)
→
x
=
12.7
,
y
=
12.7
,
z
=
6.35
(
p
o
s
i
t
i
o
n
[
z
=
0
]
)
\surd 1、Maxwell\to project\to Draw(Cylinder1)\to x=8.14,y=8.14,z=6.35\to Draw(Cylinder1)\to x=12.7,y=12.7,z=6.35(position[z=0])
√1、Maxwell→project→Draw(Cylinder1)→x=8.14,y=8.14,z=6.35→Draw(Cylinder1)→x=12.7,y=12.7,z=6.35(position[z=0])
√
\surd
√新建材料
(
B
−
H
)
(B-H)
(B−H)属性
根据magnetics M材料属性设定Maxwell中的材料B-H曲线图
√
\surd
√绕组绘制
4、仿真
▶
\blacktriangleright
▶仿真过程
▶
\blacktriangleright
▶
待