反激电路中磁性元器件1_共模电感

2022-5-3 18:33:00
2022-5-4 18:36:39
2022-5-5 20:02:15
2022-5-6 19:59:25
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1、背景
◊ \Diamond 1)共模噪声
★ \bigstar a)定义:线路对地噪声,一般存在于交流电源电气设备输入端(L、N线),且对地相位保持相同,干扰信号以地为公共回路且在两天线上各流过 1 2 \frac{1}{2} 21
√ \surd 实际中由于线路阻抗不平衡,导致共模新号转化为差模信号。
√ \surd EMC中共模新号为主要干扰(接地、屏蔽、滤波,其中整机屏蔽单元中的接地点与屏蔽点须等电位)
★ \bigstar b)来源:电网引入、地电位差、空间电磁辐射在信号线上感应出的共态电压。
★ \bigstar c)避免方案
∘ \circ 接地型:电路板工作地与参考地相连且接地点位于信号线入口;共模电流的连接器集中位于电路板同侧,避免共模电流流过整个电路板及其他工作地;布线远离高压线,高压与信号线相分离
∘ \circ 浮地型:扼流圈,避免共模新号转化为差模信号;PCB布局中的各个电路对其参考地保持零电位,且在I/O、RST等关键信号设计滤波电路
◊ \Diamond 2)设计应考虑
√ \surd 正常工作时,磁心不应饱和
√ \surd 对高频信号阻抗足够大
√ \surd 温度系数与分布电容较小
√ \surd 直流电阻尽量小
√ \surd 感应电感量尽可能大( ∼ 30 m H \sim 30mH 30mH功率电路段)
∘ \circ 过大的电感量将减弱对高频杂讯抑制效果( 5 ∼ 10 M H z 5\sim 10MHz 510MHz
2、结构示意
共模电感参阅
3、实质:通过与电容搭配形成LC型低通滤波器以滤除高频干扰
4、设计步骤
√ \surd EMI允许级别 → \to 电感量确定 → \to 磁心材料及规格确定 → \to 实物测试
† F C C − C L A S S − B \dagger FCC-CLASS-B FCCCLASSB
∘ \circ 传导干扰:150KHz ∼ \thicksim 30MHz
∘ \circ 辐射干扰:30MHz ∼ \thicksim 1GHz
† \dagger 电感量确定
设定截止频率为50KHz(一般不小于 10 K H z 10KHz 10KHz),则 L = 1 ( 2 π f 0 ) 2 C ∥ ( 线 路 阻 抗 确 定 最 小 电 感 : L = X s 2 π f 0 , 一 般 线 路 串 联 阻 抗 X s = 50 Ω , 10 K H z → X s = 100 Ω ) L=\frac{1}{(2\pi f_0)^2C} \Vert (线路阻抗确定最小电感:L=\frac{X_s}{2\pi f_0},一般线路串联阻抗X_s=50\Omega,10KHz\to X_s=100\Omega) L=(2πf0)2C1线L=2πf0Xs线Xs=50Ω10KHzXs=100Ω(以 C = 3300 p F 为 例 → L = 3.07 m H C=3300pF 为例\to L=3.07mH C=3300pFL=3.07mH
† \dagger 磁心选取(高磁导率)
∘ \circ B − H B-H BH比例材料、磁芯损耗低且 B s B_s Bs较高
∘ N i − Z n \circ Ni-Zn NiZn铁氧体材料( μ < 1000 \mu <1000 μ<1000)且可在 > 100 M H z >100MHz >100MHz频率下磁导率保持不变。由于磁导率较低,从而低频时阻抗较小,适用于抑制 10 ∼ 20 M H z 10\sim 20MHz 1020MHz的干扰
L型B-H曲线 ∗ L 型 材 料 B − H 曲 线 , μ = 700 \ast L型材料B-H曲线,\mu=700 LBH线μ=700

∘ M n − Z n \circ Mn-Zn MnZn铁氧体材料( μ > 15000 \mu >15000 μ>15000)而 f > 20 K H z f>20KHz f>20KHz时磁导率下降(magnetics提供的$ J ( 5000 μ ) 、 W ( 10000 μ ) 、 M ( 15000 μ ) J(5000\mu)、W(10000\mu)、M(15000\mu) J(5000μ)W(10000μ)M(15000μ)型磁芯),由于磁导率较高,适用于抑制 10 K H z ∼ 50 M H z 10KHz\sim 50MHz 10KHz50MHz宽频干扰
M型B-H曲线 ∗ M 型 材 料 B − H 曲 线 , μ = 15000 \ast M型材料B-H曲线,\mu=15000 MBH线μ=15000

† \dagger 磁心规格
∘ \circ 环形优、劣势
∙ \bullet 由于不需要额外工艺将部件之间进行研磨组合,从而成本较低
∙ \bullet 完整环形中并不存在拼接气隙,从而有效磁导率较高
⋅ \centerdot 由于环形绕线须专用绕线机或人工绕制,从而单件成本较高
† \dagger 绕组:
∘ \circ 典型电流密度取值: j = 4 A / m m 2 j=4A/mm^2 j=4A/mm2
∘ \circ 单股导线:成本低、高频集肤效应的铜损有利于减弱干扰
∘ \circ 绕组间设置隔离,则各绕组一般占据 150 ° ∼ 170 ° 150°\sim170° 150°170°内周圆
∘ \circ 匝数: N = 1000 L ( m H ) A L N=1000\sqrt{\frac{L(mH)}{A_L}} N=1000ALL(mH)
⋅ \centerdot 如: J J J型材料 μ = 5000 , A L = 3020 \mu=5000,A_L=3020 μ=5000AL=3020
AL典型值J型材料特性曲线

∘ \circ 线径: r = I i n j π r=\sqrt\frac{I_{in}}{j\pi} r=jπIin
▶ \blacktriangleright 磁心饱和:一般不会饱和,但部分差模磁通经绕组离开磁芯,且该漏磁通与导线中电流、绕组漏感成比例,从而导致在导线电流过大时磁心饱和或使工作点从B-H回路的原点偏移至磁导率增量较小的点
▹ \triangleright 共模线圈传给后面负载的电流偏大,已经超过或达到共模电感的额定电流
▹ \triangleright 共模干扰信号的单周期宽度比较大,使得电感电流出现饱和,此时可将感量设计稍大(不可过大,否则降低负载电流)

∘ \circ 设计
∙ \bullet 选取 J J J型磁芯: 46113 T C ∥ 43825 T C , A L = 6845 ∥ A L = 16730 46113TC\Vert 43825TC,A_L=6845\Vert A_L=16730 46113TC43825TCAL=6845AL=16730,尺寸: 61 ∗ 35.6 ∗ 127 ∥ 38.1 ∗ 19 ∗ 25.4 61*35.6*127\Vert 38.1*19*25.4 6135.612738.11925.4,磁路长度: l e = 144.6 ∥ l e = 82.8 l_e=144.6\Vert l_e=82.8 le=144.6le=82.8,磁通面积: 157.4 ∥ 233 157.4\Vert 233 157.4233,磁通体积: 22774 ∥ 19304 22774\Vert 19304 2277419304,绕线面积: 9.93 c m 2 ∥ 2.85 c m 2 9.93cm^2\Vert 2.85cm^2 9.93cm22.85cm2
∙ L = 3.07 m H , N = L A L \bullet L=3.07mH,N=\sqrt{\frac{L}{A_L}} L=3.07mH,N=ALL ,此时考虑最差 A L A_L AL情况下所需要的绕组匝数,即 A L = A L ( 1 − 20 % ) → N = 23.6 ∥ N = 15.1 A_L=A_L(1-20\%)\to N=23.6\Vert N=15.1 AL=AL(120%)N=23.6N=15.1
∙ \bullet 设流过的电流 I = 2 A I=2A I=2A,则导线截面积 r = I / j = 0.5 m m 2 r=I/j=0.5mm^2 r=I/j=0.5mm2,根据AWG线规
AWG线规线径及电流关系选择AWG19#线,外径为: R w i r e = 0.912 m m R_{wire}=0.912mm Rwire=0.912mm,导体电阻: @ 20 ° D C R = 8.05 Ω / m @20° DCR=8.05\Omega/m @20°DCR=8.05Ω/m,重量: w e i g h t = 5.8 k g / k m weight=5.8kg/km weight=5.8kg/km
∙ \bullet 假设选取第二种磁环
▹ \triangleright 磁环外周长: C o u t t e r = 2 ∗ π ∗ 38.1 2 = 119.6 m m C_{outter}=2*\pi*\frac{38.1}{2}=119.6mm Coutter=2π238.1=119.6mm
▹ \triangleright 磁环内周长: C i n n e r = 2 ∗ π ∗ 19 2 = 59.7 m m C_{inner}=2*\pi*\frac{19}{2}=59.7mm Cinner=2π219=59.7mm
▹ N = 15 \triangleright N=15 N=15,匝数所需长度: C w i r e = N ∗ R w i r e = 13.68 m m C_{wire}=N*R_{wire}=13.68mm Cwire=NRwire=13.68mm,则 η o u t = C w i r e C o u t t e r = 0.11 , η i n = C w i r e C i n n e r = 0.23 ( 82.5 ° ) \eta_{out}=\frac{C_{wire}}{C_outter}=0.11,\eta_{in}=\frac{C_{wire}}{C_{inner}}=0.23(82.5°) ηout=CoutterCwire=0.11,ηin=CinnerCwire=0.23(82.5°)
▹ \triangleright 平均匝长: l w i r e = 2 ∗ ( 38.1 − 19 ) + 2 ∗ 25.4 = 89 m m → D C R = 8.05 ∗ 0.089 = 0.72 Ω l_{wire}=2*(38.1-19)+2*25.4=89mm\to DCR=8.05*0.089=0.72\Omega lwire=2(38.119)+225.4=89mmDCR=8.050.089=0.72Ω
▶ \blacktriangleright 绕线方式
▹ \triangleright 双线并绕:差模电感较小、耦合电容大、漏感较小;一般采用共模+差模滤波方式,且多用于输出级高频滤波,但不能兼顾EMI性能
并线绕制
▹ \triangleright 分开绕制:耦合电容较小、漏感较高;一般利用漏感代替差模电感的作用,因此常采用共模+共模滤波方式,且多用于输入工频滤波,并可兼顾EMI性能
分开绕制更新后的电感量: L = N 2 ∗ A L = 3.01 m H L=N^2*A_L=3.01mH L=N2AL=3.01mH
♣ \clubsuit 选取并线绕制的方式
♠ \spadesuit 例:
输入电压: U i = 120 ∗ s i n ( 2 π f t ) V U_i=120*sin(2\pi ft)V Ui=120sin(2πft)V
输出功率: P o u t = 50 W P_{out}=50W Pout=50W
转换效率: η = 0.85 \eta=0.85 η=0.85
EMI滤波Y电容: C Y = 2500 p F C_Y=2500pF CY=2500pF
▶ P i n = P o u t / η = 59 W \blacktriangleright P_{in}=P_{out}/\eta=59W Pin=Pout/η=59W
▶ I i n = P i n / U i n = 0.5 A \blacktriangleright I_{in}=P_{in}/U_{in}=0.5A Iin=Pin/Uin=0.5A
▶ s w i r e = I i n / j = 0.125 m m 2 \blacktriangleright s_{wire}=I_{in}/j=0.125mm^2 swire=Iin/j=0.125mm2
▶ 26 A W G → S w i r e = 0.1281 m m 2 > s w i r e ∥ R w i r e = 143 Ω / K m \blacktriangleright 26AWG \to S_{wire}=0.1281mm^2>s_{wire}\Vert R_{wire}=143\Omega/Km 26AWGSwire=0.1281mm2>swireRwire=143Ω/Km
▶ \blacktriangleright 假定EMI滤波频率 f = 50 K H z → f = 1 2 π L C → L = 4.07 m H f=50KHz \to f=\frac{1}{2\pi\sqrt{LC}}\to L=4.07mH f=50KHzf=2πLC 1L=4.07mH
▶ \blacktriangleright 选取magnetics M型( ± 30 % \pm30\% ±30%) 41306 T C ( 12.7 ∗ 8.14 ∗ 6.35 ) 41306TC(12.7*8.14*6.35) 41306TC(12.78.146.35)
▹ \triangleright 磁导率: A L = 8476 A_L=8476 AL=8476
▹ \triangleright 磁路长度: l e = 31.7 l_e=31.7 le=31.7
▹ \triangleright 磁芯截面积: A e = 14.2 m m 2 A_e=14.2mm^2 Ae=14.2mm2
▹ \triangleright 磁芯体积: V e = 451 m m 3 V_e=451mm^3 Ve=451mm3
▹ \triangleright 窗面积: A W = 49 m m 2 A_W=49mm^2 AW=49mm2
▹ \triangleright 绕组: N 2 = L / A L → N ≈ 27 N^2=L/A_L\to N\approx27 N2=L/ALN27
▹ \triangleright 总绕组截面积: S s u m w i r e = N ∗ S w i r e ≈ 3.46 m m 2 → η w i n d o w = S s u m w i r e / A W = 7 % S_{sum_{wire}}=N*S_{wire}\approx3.46mm^2\to \eta_{window}=S_{sum_{wire}}/A_W=7\% Ssumwire=NSwire3.46mm2ηwindow=Ssumwire/AW=7%
▹ \triangleright Maxwell建模分析
√ 1 、 M a x w e l l → p r o j e c t → D r a w ( C y l i n d e r 1 ) → x = 8.14 , y = 8.14 , z = 6.35 → D r a w ( C y l i n d e r 1 ) → x = 12.7 , y = 12.7 , z = 6.35 ( p o s i t i o n [ z = 0 ] ) \surd 1、Maxwell\to project\to Draw(Cylinder1)\to x=8.14,y=8.14,z=6.35\to Draw(Cylinder1)\to x=12.7,y=12.7,z=6.35(position[z=0]) 1MaxwellprojectDraw(Cylinder1)x=8.14,y=8.14,z=6.35Draw(Cylinder1)x=12.7,y=12.7,z=6.35(position[z=0])
在这里插入图片描述 √ \surd 新建材料 ( B − H ) (B-H) (BH)属性
根据magnetics M材料属性设定Maxwell中的材料B-H曲线图
M材料B-H曲线拟合 √ \surd 绕组绘制
在这里插入图片描述

4、仿真
▶ \blacktriangleright 仿真过程
在这里插入图片描述 ▶ \blacktriangleright

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