本文介绍了本征半导体的载流子及其在不同温度下的行为，重点讲解了PN结的形成过程、单向导电性原理，以及二极管的正向和反向导通特性。讨论了反向击穿现象，包括雪崩击穿和齐纳击穿，并提到了稳压二极管的工作原理。此外，还涵盖了二极管的主要参数，如整流电流、反向电流和最高工作频率。
本征半导体的两种载流子：电子和空穴
本征激发（当半导体的温度T>0K时，有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴，这就是所谓的本征激发）与复合速度，温度决定了载流子浓度
温度越高，本征激发越剧烈，载流子浓度越高，复合速度越快
温度对N型半导体多子浓度的影响相对而言很小，对少子相对而言影响很大
PN结的形成：
扩散运动，形成空间电荷区（耗尽层，阻挡层，PN结）后产生的电场阻止了两端的多子（电子和空穴）向中部空间电荷区移动，但对于两端的少子（空穴和电子）而言反而加速了他们向另一端运动，称之为少子漂移
单向导电性：
P区外加正向电压（正极），N区外接反向电压，外界电场与耗尽层电场方向相反，在一定程度上削弱了耗尽层，当外界压降达到一定程度时，耗尽层的势垒无法阻挡大批量多子通过，电路导通
P区外加反向电压（负极），N区外接正向电压，外界电场强化了耗尽层，使得耗尽层变得更宽，更难以导电，但漂移运动被加强,形成反向饱和电流
PN结的电流方程
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