双极晶体管BJT（三极管）
发射区需要载流子浓度大，集电区需要载流子浓度小，但面积大
电流放大作用：
发射区载流子（电子）极多，在发射结正向偏置的情况下大量扩散到基区，甚至多余基区原有的空穴载流子（因为基区薄且掺杂浓度低，所以复合少，并且可以根据厚度和掺杂浓度控制复合比例），电子载流子再进一步向集电区扩散，因为这种复合比例关系，所以发射极电流和基极电流成比例，比例与复合比例一致
集电结反偏提供了电场使扩散来的电子加速去往集电区，避免了在基区堆积，保证了浓度梯度
晶体管输入特性曲线
对于每一个确定的IB,都有一条曲线，输出特性的一族曲线。
截至区：发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置。仅有Iceo
放大区：发射结正向偏置且集电结反向偏置。βIb=Ic
饱和区：发射结与集电结均处于正向偏置。βIb>IcMAX
三极管主要参数
温度的影响：
温度越高，放大倍数β越高
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