模拟电子技术基础-场效应管

场效应管（场效应晶体管）FET
1、结型场效应管


Ugs之间加反向电压，电压越大，耗尽层越宽

关键点：不能工作在Ugs>0，否则PN结不存在，结构毫无意义，但绝缘栅型可以Ugs>0
优点是这种管相比绝缘栅型不易损坏（绝缘栅型的二氧化硅层太薄，易击穿）

主要参数：
1、跨导（低频）：Uds一定时，Ids与Ugs变化量的比值，即图a的斜率
2、极间电容，约几pF，高频下有影响

2、绝缘栅型场效应管（MOSFET，金属氧化物场效应晶体管）
2.1、N沟道增强型MOS管

二氧化硅绝缘层很薄，下面斜线处为PN结

gs（即gB）间电压决定了N沟道的宽窄，从而决定了沟道的电阻

Ugs不变下，UDs逐渐增大，出现预夹断（不会出现真正夹断情况，夹断状况下没电流，夹断会自动解除），之后沟道电阻几乎不变，出现恒流
a图状态下，通过沟道的电流和UDs成比例

2.1、N沟道耗尽型MOS管
二氧化硅板上掺入了带正电的物质，天生沟道，Ugs换成反向电压到一定程度，沟道消失，其他原理与增强型一致