模拟电子技术基础-场效应管

场效应管（场效应晶体管）FET
1、结型场效应管


Ugs之间加反向电压，电压越大，耗尽层越宽

关键点：不能工作在Ugs>0，否则PN结不存在，结构毫无意义，但绝缘栅型可以Ugs>0
优点是这种管相比绝缘栅型不易损坏（绝缘栅型的二氧化硅层太薄，易击穿）

主要参数：
1、跨导（低频）：Uds一定时，Ids与Ugs变化量的比值，即图a的斜率
2、极间电容，约几pF，高频下有影响

2、绝缘栅型场效应管（MOSFET，金属氧化物场效应晶体管）
2.1、N沟道增强型MOS管