智能车学习day1

小白刚刚接触智能车，记录理论学习和实践的过程。

电子元件与电源

二极管：正向导通，反向截止。有固定的正向压降，例如硅管的正向压降是0.7v（常见的像1n4007)

  但经过进一步了解，会发现二极管的正向压降不是一个固定值。

PN结反向不导通，却能通过的四种电流 - 知乎 (zhihu.com)

仅此一文，看懂二极管的所有基础知识点 - 知乎 (zhihu.com)

元件选型

首先，常用的型号应当熟悉，小信号开关二极管：1N4148，1A的肖特基二极管：直插1N5819,贴片SS14，小功率三极管：PNP8550,NPN8550，3.3V稳压芯片：1117。

其次，选型要了解所需的元件主要有哪些生产商，例如,需要选择一款满足一定设计要求的MOSFET。通过查询得知,该类产品比较著名的生产厂家有Fairchild.IR.Vishay等。可进入其中一家的官网。因为是外国厂家,网页一般是英文的,有些网页也有中文,但是汉化不会很彻底。
在网页中找到产品选项,在里面寻找自己需要的产品的分类。经过一层层的分类,最后会进人一个筛选表格,在这里,该类产品的所有型号和参数被全部排列出来，每列参数顶部有按钮、复选框或者滑块,可以根据要求对参数进行筛选与排序,最终确定几个符合要求的型号。

常用电子元件 

 电阻：电阻值，额定功率，精度，最大工作电压,材质与封装

特别的0欧电阻：用处非常广泛，可用于调试、跳线、分割地平面，因此0欧电阻并不等于导线。

为什么要有0欧姆电阻？浅析0欧姆电阻的11种用法 - 知乎 (zhihu.com)

电容：电容值，材质与结构，等效串联电阻，精度，耐压，纹波电流

电感：电感量，电流，直流电阻，品质因数

智能车竞赛中常用到的电感：工质电感，常用规格为10mH。功率电感可用作开关电源的储能电感；积层电感一般用于电源线/信号线滤波，不宜用于大电流场合；色环电感单位是H，一般用于滤波。

二极管：正向电流，最高反向工作电压，正向压降，反向恢复时间，发光二极管

常用产品举例

(1) 1A整流二极管:直插1N4007,贴片M7;
(2) 1A快恢复二极管:直插FR107,贴片RS1M;
(3) 1A肖特基二极管:直插1N5819,贴片SS14;
(4)小功率开关二极管:直插1N4148,贴片LL4148;
(5) 3A整流二极管:直插1N5408,贴片S3M;
(6) 3A快恢复二极管:直插FR307 ,贴片RS3M;(7) 3A肖特基二极管:直插IN5822,贴片SS34。

振荡器：通常由石英晶体制成，具体电路需参考芯片手册设计。

电位器：电位器可调圈数越多，分辨率越高。3296电位器大约是20~30圈，PM065大约是200°。

特别需要注意的是，很多电位器的旋转寿命很短，只有数十次到二百次，超过限制后稳定性将变差，调好后尽量不要再动了。需要经常调节的场合应使用专门的产品。

MOSFET

在智能车电机驱动中，MOS管作为开关器件使用，大部分时间工作在夹断区（截止）和恒流区（导通），通过调节占空比控制输出功率。在导通和关断瞬间，要迅速通过可变电阻区。

从需求方面考虑，我们希望选择具有如下特性的元器件：

（1）耐压足够高：避免关断情况下D和S间被击穿；
（2）导通电流要足够大：保证功率输出足够；
（3）体积小发热低：避免过热损坏器件；
（4）开关速度快：开关切换瞬间尽可能快地通过可变电阻区，避免产生过多的发热损耗。
 

1.击穿电压（VDSS）

DS之间可承受的最大电压，选择时需保留一定余量，保证电路可靠性。耐压高的管子，通态电阻比较大。

2.导通电流

电流在通态电阻上产生发热功率，因此电流不能超过器件承受能力。随着环境温度的升高，要降额使用。

3.体积与发热

我们希望热阻（热量在传导过程中收到的阻碍作用）越小越好，这样热量传递得快，温升就不会太高。一般来讲，相同参数的mos管封装体积越大，金属体积越大热阻越低。因此我们可以增加散热片，板子大面积铺铜来增大管子散热空间。、

4.开关速度

以导通过程为例，从开始到完全导通，电压逐渐降低，电流逐渐升高。关断过程则相反。这段时间内电压和电流都不为0，会产生一定发热功率。零电压开关技术（ZVS）/零电流开关技术（ZCS）可以让电压与电流波形互不重叠，大大降低器件的开关损耗。

在半桥电路结构中，因为存在开关延迟，上下桥臂切换的瞬间有同时导通（可能导致电源短路）的风险。为了避免这种情况，在二者切换时需要通过额外的措施加入一定的“死区”。如果同时导通带来的功耗可以被忽略，可以不加入死区，降低电路复杂度。（学长建议选择自带死区的芯片，并不用自调死区）

MOS管是用栅极电压控制漏极电流的器件，栅极从外部看来等效一个电容，控制MOS管的开关就是给电容快速充放电，一旦超过开启电压后（一般2~4v）管子从夹断区进入可变电阻区，继续升高进入恒流区。电容两端的电压不能突变，电压的上升下降需要一定的过程，这个过程越短越好，带来的好处就是开关速度更快，开关损耗更低。一般来讲，其他参数相近的情况下，电流越大的mos管栅极电容越大，但开关速度更低。

5.驱动电路

功率型mos管的跨导G一般不会很大。想要提供足够的输出电流，就要有足够的栅极电压，栅极电压的上限一般不超过正负20V，超过了栅极电容就有被击穿的风险。

驱动电路要求提供足够的充放电电流。在高速开关状态下，不能使用上拉电阻或者下拉电阻来提供高电平或低电平,否则将严重降低开关速度，增加经过可变电阻区的时间,降低效率。因此,高低电平都要利用分立或者集成的开关管来驱动。既然希望驱动能力越强越好,栅极电阻的存在必然影响充放电速度。栅极电阻的作用是为充放电回路提供一定的阻尼,因为无论是充电还是放电,都是阻抗极低的回路。同时受各种杂散参数的影响,会产生严重的寄生震荡,导致驱动波形畸变，还可能产生电磁干扰。图1.39所示为栅极的寄生震荡,无栅极电阻时,波形边沿过冲严重。 

 

 在有些场合要求“慢开快关”,在避免寄生震荡的前提下,尽可能降低开关损耗,常用办法是在栅极电阻，上并联一个二极管。这样,在低电平时，能起到快速截止的效果。图1.40所示为简化的慢开快关电路。
关于负压截止,一般驱动电路中,MOS管的截止电压是0V,但在要求更高的场合,要求截止电压小于0V,这么做有两个好处:一是可以保证快速截止,由RC充放电模型可知,在0~5V的参考区间内,0~12V电源的关断速度要慢于一5~12V电源;二是保证可靠截止，因为MOS管的GD之间也有较大的电容存在,因此来自负载的高频干扰可能通过Cap在栅极.上产生感应电压,该电压可能导致MOS管的误导通,而负压截止则一定程度上可避免该情况发生,可靠性有所提高。除此之外，负压截止也可以加快栅极电容的放电速度。负压截止虽然效果很好,但驱动电路复杂,需要根据实际情况设计。
在不考虑快关和负压的情况下,驱动电路该如何设计呢?图1.41所示为参考电路。

这里R2的作用是因为MOS管的栅极输入阻抗高,在没有驱动信号的悬空状态下,外界干扰很容易在栅极形成感应电压导致管子误导通，因此利用该电阻提供可靠的下拉,保证管子截止，典型值为10k欧。稳压二极管Z的用途是将栅极电压钳位,保证不高于Z的导通电压，避免电压过高击穿栅极,取值要高于驱动电压且低于栅极最高承受电压,典型值为15V。注意这是不考虑负压的情况。
 

功率MOS管内部存在二极管，一般来说与快恢复二级管性能相近，可为驱动电机这类感性负载提供低阻抗的续流通道，避免产生高压。