半导体的一些表征方法（论文学习）

半导体的一些表征方法

一、扫描隧道显微镜 (STM)
扫描隧道显微镜是一种扫描探针显微术工具，扫描隧道显微镜可以让科学家观察和定位单个原子，它具有比它的同类原子力显微镜更加高的分辨率。此外，扫描隧道显微镜在低温下（4K）可以利用探针尖端精确操纵原子，因此它在纳米科技既是重要的测量工具又是加工工具。STM使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物化性质，在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广泛的应用前景，被国际科学界公认为20世纪80年代世界十大科技成就之一。

扫描隧道显微镜
工作原理为：当原子尺度的针尖在不到一个纳米的高度上扫描样品时，此处电子云重叠，外加一电压（2mV~2V），针尖与样品之间产生隧道效应而有电子逸出，形成隧道电流。电流强度和针尖与样品间的距离有函数关系，当探针沿物质表面按给定高度扫描时，因样品表面原子凹凸不平，使探针与物质表面间的距离不断发生改变，从而引起电流不断发生改变。将电流的这种改变图像化即可显示出原子水平的凹凸形态。
二、原子力显微镜（AFM）
由于扫描隧道显微镜(STM)在使用中存在一些不足，瑞士苏黎世实验室的科学家 经过不断努力，研制出了更先进的原子力显微镜。它打破了STM只能对导体进行检测的局限性，可以进一步完成对半导体和绝缘体的检测，同时对检测环境的适应能力也得到加强，在真空、大气甚至液体环境下也可稳定地工作。AFM通过扫描探针不仅可以对材料表面进行原子级别的形貌观测，还可以表征表面电子来反映材料的物理特性，该发明迅速成为材料表面分析领域中最重要的成果之一。
AFM的两个关键部件是扫描管和悬臂下的探针，为了获得样品表面的形貌信息，扫描管会控制探针在距离样品表面很近的范围内移动，探针会产生一个反馈信号来表示随着探针与样品表面距离的不同而产生的相互作用的大小。根据不同的反馈物理量， AFM有不同的工作模式，如表所示：

不同物理量对应的成像模式
例如Bruker AFM，其成像模式是轻敲模式，其基本工作原理如图所示：

AFM工作原理示意图
由图可知，悬臂的一端固定在基板上，一端连接着探针，系统将悬臂的振幅作为反馈信号，当扫描开始时，悬臂振幅等于参考值；当遇到样品表面形貌变化时，悬臂的振幅会随之发生微小振动，使得打在悬臂背面的激光反射到检测器中心时发生偏移，进而导致检测信号与标准参考值产生偏差。此时，系统中的控制器会合理操控扫描管在样品表面进行移动来消除此偏差，以此精准刻画出样品的形貌特征。轻敲模式AFM的优点是不会对样品表面造成损伤，且成像质量也较高，所以常被用来表征二维材料的厚度以及氮化物薄膜的原子级台阶流形貌。

三、扫描电子显微镜（SEM）
上世纪30-40年代，来自德国的M.Knoll首先提出扫描电镜的工作原理，紧接着经过科学家不断的探索，来自美国的 V.K.Zworykin 等人通过采集电子束照射样品后的反射电子得到了样品的形貌图像，有力地推动了扫描电镜朝着更加专业化的方向发展。这种显微镜具有分辨本领强、景深长、制样简单等特点，已成为当前分析材料最常用的方法之一。
扫描电镜主要由四大系统构成，分别是保障测试环境洁净的真空系统，控制电子束发射的电子光学系统、负责收集和甄别反射电子的信号检测系统以及图像处理系统，其工作原理示意图如图所示：

SEM结构示意图
真空系统可以保证样品的洁净程度，同时也有利于延长灯丝的寿命，保障整个电子光学系统更高效稳定的工作。电子光学系统主要控制电子枪产生稳定的电子束，电子束通过前面两个强电磁透镜(也称聚光镜)的聚焦变成 纳米尺寸的光斑，最后再经过第三个弱电磁透镜(也称物镜)的聚焦作用在样品表面。 样品中被选定的区域由于受到电子束的轰击，会发出携带多种信息的信号，例如二次电子、背散射电子、俄歇电子、透射电子、特征X射线等，通过信号检测处理系统中的电子检测器将其中的二次电子进行检测、放大、变换，形成用以调制图像的信号。图像处理系统根据样品表面各点反馈回来的调制信号，经过转换处理，在荧光屏上就生成了反映样品表面形貌特征的图像。
扫描电子显微镜相对于其他显微镜的一大优势是景深大，所以成像清晰、立体感强，因此常被用作III族氮化物材料和二维材料的表面组织、位错坑以及纵向剖面的观察。

四、拉曼光谱（Raman spectra）
拉曼光谱学是在拉曼散射效应的基础上形成的一种用于表征材料光学性质的测试方法，其中拉曼散射是指入射光与被测材料中的分子发生能量交换时，产生的散射光波长大于入射光波长的现象。拉曼光谱的横坐标表示散射光与入射光之间的频率差，通常用频率的倒数，即波数来表示，且拉曼频移是由材料的固有属性决定的，不会随着入射光的频率发生改变，纵坐标表示拉曼强度。利用拉曼光谱能够获得许多其他测试方法难以获得的信息，例如拉曼频率可以分析物质组成成分和化学结构、拉曼频移 表征材料内部所受应力情况，拉曼偏振可以测定晶体的结晶度和取向度，拉曼半高宽 反映晶体质量，拉曼强度定量分析物质组分的含量。同时，拉曼测试不会对样品造成 损伤且无需制备样品，故在研究III族氮化物材料和二维材料的晶体结构、光学性质以及电子-声子运动规律中受到强烈认可。
例如一款配置激光光源的拉曼光谱仪，其工作原理示意图如图所示：

拉曼光谱仪工作原理示意图
激光器发射出激光通过物镜聚焦在样品上，被照明的区域会发生电磁辐射并通过 同一个物镜来收集散射光，经过样品散射的光绝大部分是弹性散射光，非弹性散射光也就是拉曼散射光的强度非常弱，所以外光路系统中的滤光片只会允许拉曼散射光通过，瑞利散射光和其他光源的辐射光被滤波器过滤掉，拉曼散射光进入单色器和CCD探测器后，由计算机端口经过专用软件处理得到拉曼光谱。

五、X射线衍射（XRD）
当劳埃等人首次在CuSO4晶体中验证了X射线的衍射现象之后，为了克服劳埃方程在实际使用中的困难，布拉格父子对这一问题又进行了深入的研究，他们将晶体对X射线的衍射看成是晶体中不同晶面对X射线的选择衍射，由此推导出了通俗易懂的布拉格方程，其原理示意图如图所示：

布拉格衍射原理示意图
一束波长为λ的X射线入射到一个完整晶体的晶面(hkl)，X射线DM照射到晶面A上的原子M发生散射，另一条与之平行的X射线FN受到晶面B上的原子N的散射，若着两条入射光线以及反射光线之间的光程差为入射光波长的整数倍时，则说明在该方向上的散射线具有相同的相位，满足相干条件，出现干涉现象。其公式如下：
nλ= 2dsinθ
其中，θ是入射光与反射晶面的夹角，也称之为布拉格角，d是晶面(hkl)的面间距，λ是X射线的波长，n为正整数。布拉格方程从根本上解决了X射线衍射的方向问题，当一束X射线经过晶体时若发生了布拉格衍射，则衍射波叠加的效果就是使X射线只在特定方向上产生最大强度的衍射束，其他方向减弱，该应用主要体现在研究晶体结构和分析X射线谱。
目前，在半导体衬底或者氧化物衬底上异质外延生长得外延层是制备半导体光电子器件的基本材料，而外延薄膜的晶体质量、内部应变、界面特性等是决定器件工作性能的重要评估参数，它们对器件的载流子迁移率、发光特性、工作寿命等多种性能参数都会产生一定的影响。通过X射线衍射技术可以对外延薄膜的多种结构参数进行无损伤的表征，进而帮助优化外延薄膜的生长参数和提升器件的性能，该技术已经成为半导体制造工艺中衡量氮化物薄膜质量好坏的关键技术。高分辨 X 射线双晶衍射正是研究材料内部参数最有效的方法，其工作原理如图所示：

X射线双晶衍射工作原理示意图
其工作原理如下：将光源发射出来的X射线经过两级狭缝S1和S2的限束转变成单色平面波后，照射到参考晶体的表面，通过调整参考晶面的角度使其在特定的布拉格角度θ下产生某一波长的反射束。该反射束通过狭缝S3的进一步限束入射到样品表面上，此时将探测器调整到2θ的位置接受样品的反射光束，样品以布拉格角θ作旋转(此时入射角ωin=θ)，这时的衍射模式就是标准的布拉格衍射。通过记录散射强度和ω角的关系，即可得到双晶衍射的摇摆曲线，这种扫描方式称之为ω扫描。摇摆曲线的半高宽(FWHM)可以表征外延薄膜的结晶质量，半高宽越窄，证明晶体内部位错密度越低，结晶质量越高。如果探测器以2θ旋转，样品以ωin角做旋转，这种扫描方式称之为2θ-ω 扫描。这种扫描方式经常被用来测定量子阱和超晶格的组分和周期等信息。

六、透射电子显微镜（TEM）
透射电镜的组成架构与扫描电子显微镜类似，最关键的核心部分是电子光学系统，以下主要介绍电子光学系统的工作原理，其原理与光学显微镜类似，如图所示：

TEM的电子光学系统示意图
由电子枪激发的电子在阳极高速电业的加速下，经过电磁透镜的聚焦作用照射在样品 表面上，特别地，通过改变中间镜的位置可以决定荧光屏上获得的是形貌图像还是衍射花样。通过平移物镜光阑，如果仅允许透射束通过则可获得明场像，如果仅允许衍射束通过则可获得暗场像。由于透射电子显微镜是采用高能电子束作为作为入射光，其分辨率可达零点几纳米，可以良好地分析各层材料的层结构和形貌。对于需要观看材料原子级别的晶格质量，可以使用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)进行检测。利用TEM可以观测材料内部的位错的分布情况，常见的材料可能存在的位错类型有刃位错、螺位错、混合位错。如果材料内部产生位错，会导致TEM的衍射强度发生变化进而产生衬度反差，这就是TEM来表征位错的基本原理。根据形成的选取电子衍射花样还可以判断晶体类型，如果是排列整齐的斑点，表明晶体是单晶，如果是一系列同心圆环，表明晶体是多晶，如果是独立的圆形光斑，表明晶体是非晶。目前，TEM已经成为研究二维材料和氮化物界面情况和分析氮化物晶体内部结晶情况的重要工具之一。
透射电镜是的检测要求是样品必须很薄，大约在50 nm-200 nm之间，这样才能确保证透射束良好地透过样品。样品的制备方法很多，通常我们采用聚焦离子束(FIB) 来减薄样品，这种方法虽然成本高，但是能够获得很薄的样品，所以已经获得广泛认可。

七、电致发光（EL）
电致发光是指物质在一定的电场作用下被相应的电能激发而产生的发光现象。通常，半导体中的价电子在外电场的作用下获得能量后会跃迁到导带中，此时导带中的电子在回到低能态的过程中会释放光子，这就是半导体材料的电致发光现象。利用电致发光测试能够对外延片的发光波长、发光强度等特性进行测试。对于没有制作电极的外延片来说，首先在N型层进行划刻，接着在P型层表面点铟球的方法来实现欧姆接触的简易制备，接着借助测试台上的探针完成对外延片的测试，进而获得所制备外延片的光电信息。

总结
本文介绍了一些半导体中用的一些表征材料性质的测试方法，包括STM、AFM、SEM、Raman、XRD、TEM、EL等，通过了解材料的各种表征方法的工作原理，非常有利于我们对所得数据进行合理的分析和评估。